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IR 推出坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列

发布时间:2010-04-09 来源:电子元件技术网

产品特性:
  • 采用Gen 10.2 技术
  • 低至1.0 mΩ 的导通电阻
  • 承受24V 至100V 的电压
  • 宽泛的电压和封装
  • 符合 AEC-Q101 标准
应用范围:
  • 适用于需要低导通电阻的各种应用

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列,适用于需要低导通电阻的各种应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制、DC-DC 转换、电池开关,以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台的其它重载应用。

新器件采用了 IR 经过验证的 Gen 10.2 技术,可提供低至 1.0 mΩ 的导通电阻 (最大) ,在各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装上均可承受 24V 至 100V 的电压。一些器件还可将 D2Pak-7P 封装和D2Pak 封装的最大额定电流分别调整为 240A 和195A。

IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“IR 这些经过优化的汽车专用MOSFET具有低导通电阻,具有宽泛的电压和封装。由于其表面形成了钝化层,因而可以提高可靠性。此外,该器件的材料经过调整、优化后可达到坚固、耐用的效果。” 

IR 的 汽车用 MOSFET 将动态和静态部分的平均测试以及100% 自动晶圆级视觉检测作为 IR要求零缺陷的汽车质量理念的一部分。AEC-Q101 标准要求导通电阻在经过 1000 次温度循环测试后,变化幅度不能超过 20%。然而,经过延长测试后,IR 的新款 AU 材料显示,在 5000 次温度循环时的最大导通电阻变化少于10%,体现了这款材料的高强度和耐用性。 

新器件符合 AEC-Q101 标准,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。


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