产品特性：

• 采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术
• 在4.5V栅极驱动下额定导通电阻为8.5mΩ的80V MOSFET
• 符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC

应用范围：

• 更高电压器件的优化

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。

SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。

器件的4.5V电压等级有助于实现更高频率的设计，在POL应用中大幅降低栅极驱动损耗，并且可以使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。

SiR880DP经过了完备的Rg和UIS测试。这款采用PowerPAK SO-8封装的MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。