产品特性:
- 采用了 IR 经过验证的平面技术
- 针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化
应用范围:
- 用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。
新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET,以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ,这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求,能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过使用 IR 经过验证的平面技术,这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外,这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车,如卡车等。”
新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
所有IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而,经过延长测试后,IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%,体现了这款材料的高强度和耐用性。
器件编号
|
封装
|
栅极
驱动
|
V(BR)DSS
(V)
|
10VGS时的最大导通电阻 (mΩ)
|
TC 为 25°C时的ID最大值 (A)
|
10VGS 时的QG 典型值(nC)
|
N 沟道器件
|
||||||
AUIRF3305
|
TO-220
|
标准
|
55
|
8.0
|
140
|
100
|
AUIRFR4105
|
DPak
|
标准
|
55
|
24.5
|
30
|
13
|
AUIRFZ34N
|
TO-220
|
标准
|
55
|
40.0
|
26
|
23
|
AUIRF3415
|
TO-220
|
标准
|
150
|
42
|
43
|
133
|
P沟道器件
|
||||||
AUIRF4905
|
TO-220
|
标准
|
-55
|
20.0
|
-74
|
120
|
AUIRFR5305
|
DPak
|
标准
|
-55
|
65.0
|
-28
|
42
|
AUIRF9Z34N
|
TO-220
|
标准
|
-55
|
100
|
-17
|
23
|
AUIRFR5505
|
DPak
|
标准
|
-55
|
110
|
-18
|
21
|
AUIRFR9024N
|
DPak
|
标准
|
-55
|
175
|
-11
|
13
|
AUIRF9540N
|
TO-220
|
标准
|
-100
|
117
|
-23
|
65
|
AUIRFR5410
|
DPak
|
标准
|
-100
|
205
|
-13
|
39
|
器件编号
|
封装
|
栅极
驱动
|
V(BR)DSS
(V)
|
4.5VGS时的最大
导通电阻(mΩ)
|
TC 为 25°C时的ID 最大值 (A)
|
4.5VGS 时的QG 典型值(nC)
|
AUIRLR2703
|
DPak
|
逻辑
|
30
|
65.0
|
22
|
15
|
AUIRL3705N
|
TO-220
|
逻辑
|
55
|
18.0
|
89
|
98
|
AUIRLR2905
|
DPak
|
逻辑
|
55
|
22.5
|
60
|
23
|
AUIRLR024N
|
DPak
|
逻辑
|
55
|
110
|
17
|
15
|
AUIRLR120N
|
DPak
|
逻辑
|
100
|
265
|
11
|
20
|