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100V耐压+120dB抗干扰！意法半导体推出高压高抑制比检测放大器
意法半导体推出新型电流检测放大器TSC240，其核心优势在于高达100V的耐压能力与业界领先的测量精度。该器件具备120dB的PWM抑制比，能在强干扰环境下保持信号完整性，为监控汽车电驱逆变器、工厂自动化、工业机器人和服务器等应用提供稳定可靠的高精度电流监测方案。
2026-01-13
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利用TOLL封装GaN如何打破太阳能转换效率天花板
在绿色能源浪潮席卷全球的当下，太阳能系统正以势不可挡的态势蓬勃发展，成为能源转型的关键力量。而在这一蓬勃发展的进程中，光伏逆变器宛如系统的“心脏”，其性能的优劣直接关乎着太阳能能否被高效地“驯服”与利用。因此，如何设计出性能卓越的光伏逆变器，以最大化地汲取太阳能的能量，成为了技术创新的核心焦点。
2025-12-19
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TOLL 封装赋能 GaN 器件：高压电源转换领域的性能突破与设计要点
太阳能发电系统的发展持续攀升，而光伏逆变器的性能表现，正成为行业技术的核心。这类设备的核心设计目标，尽可能利用太阳能资源。在众多技术突破中，氮化镓（GaN）材料的应用堪称关键创新。当下，氮化镓正加速替代传统的硅（Si）基器件及绝缘栅双极晶体管（IGBT）系统，成为光伏逆变器领域的新一代核心元件。
2025-12-11
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测试技术革命：函数发生器与电源融合打造超级测试平台
在电子测试领域，函数发生器与直流电源的深度融合正引发测试方法的革命性变革。这种创新组合不仅显著提升了测试效率和精度，更为工程师提供了模拟复杂真实场景的强大能力，从太阳能逆变器验证到电池系统测试，展现出前所未有的应用潜力。
2025-11-16
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SiC功率模块的“未病先防”：精确高温检测如何实现车载逆变器主动热管理
碳化硅（SiC）功率模块正推动电动汽车革命，其高频、高压和耐高温（结温可超200°C） 的特性，对温度检测的精确性提出了前所未有的挑战。精确的结温监测，是释放SiC性能潜力、保障模块可靠运行的关键。
2025-11-03
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安森美光伏方案剖析：助力逆变器能效全面升级
随着全球能源转型加速，太阳能逆变器技术正经历革命性变革。目前市场主流组串式逆变器凭借其卓越的灵活性和安装便捷性，已成为光伏系统的核心选择。安森美作为功率半导体领域的领导者，通过创新的器件设计和系统级优化，持续推动逆变器功率密度提升与成本下降。其解决方案不仅大幅提升了能量转换效率，更为住宅、商业和公用事业等不同应用场景提供了量身定制的技术路径，助力光伏产业实现更高水平的能源利用效率。
2025-09-08
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光伏电流检测技术革命：TI封装内霍尔传感器如何重塑太阳能系统效能？
在光伏系统迈向智能化与高效化的进程中，德州仪器(TI)最新推出的TMCS112x/113x系列封装内霍尔效应电流传感器正引发行业变革。这款集成度极高的解决方案以±0.5%的测量精度、-40°C至125°C的宽温稳定性，以及3.5mm×4mm的超紧凑尺寸，正在替代传统的穿孔式传感器，为从微型逆变器到兆瓦级光伏电站的全场景电流检测树立新标准。
2025-08-08
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安森美与舍弗勒强强联手，EliteSiC技术驱动新一代PHEV平台
安森美（onsemi）与驱动技术领军企业舍弗勒（Schaeffler）进一步深化技术合作，双方在最新中标项目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET产品系列。该方案将应用于舍弗勒主驱逆变器，为全球知名汽车制造商的先进插电式混合动力电动汽车（PHEV）平台提供核心动力支持。此次合作标志着碳化硅技术在新能源车载系统中的关键落地，助力PHEV性能与能效双重升级。
2025-08-01
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从IGBT到GaN：10kW串式逆变器设计的关键要点与性能优势解析
随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计，探讨其技术优势与核心设计要点，为住宅太阳能应用提供高能效、高密度的解决方案参考。
2025-07-16
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安规电容技术全景图：从安全设计到国产替代突围
安规电容作为电子系统的安全防线，以金属化聚丙烯薄膜或陶瓷介质为核心，确保失效时绝不引发触电风险。随着新能源汽车800V平台普及，新一代安规电容正向1000V耐压与集成化滤波演进，为光伏逆变器、EV充电桩等高危场景筑牢电气安全基座。
2025-07-10
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200kHz开关频率破局！Wolfspeed联合恩智浦推出牵引逆变器解决续航焦虑
Wolfspeed与恩智浦（NXP）联合推出业界首款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，为电动汽车行业注入关键技术动能。面对汽车行业加速向零排放转型的需求，该设计通过集成动态栅极强度调节技术与碳化硅（SiC）功率模块，直击效率提升、功能安全及长期可靠性三大核心痛点，助力车企快速开发出性能媲美甚至超越燃油车的差异化电动车型。
2025-07-09
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破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。
2025-06-24
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- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
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