意法半导体、Soitec与CMP 共同宣布，现在大学院校、研究实验室和设计企业可通过CMP的硅中介服务使用意法半导体的CMOS 28纳米全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）制程进行工程流片，意法半导体的新制程采用Soitec公司开发的创新型硅衬底。随着首批商用晶圆即将下线，意法半导体正在将这项制程下放给第三方芯片制造商。

CMP的产品目录中列有意法半导体28纳米FD-SOI CMOS制程,代表着双方在此前的合作上取得了显著成功，意法半导体与CMP合作为大学和设计企业提供流片服务，让他们能够使用意法半导体的上一代CMOS 工艺设计芯片，包括45纳米（2008年发布）、65纳米（2006年发布）、90纳米（2004年发布）和130纳米（2003年发布）。CMP的客户还可选用意法半导体的65纳米和130纳米SOI（绝缘层上硅）以及130纳米SiGe制程。例如，170家大学和企业已获得意法半导体90纳米CMOS 制程设计规则和工具，200余家大学和企业已获得意法半导体65纳米体效应和SOI CMOS制程设计规则和工具。

CMP自2011年起开始提供意法半导体28纳米CMOS体效应技术，约60所大学和微电子企业已获得设计规则和工具，16款集成电路（IC）现已制造。

CMP总监Bernard Courtois表示：“人们对使用这些制程设计IC的具有浓厚兴趣，约300个项目设计已采用90纳米制程（2009年退市），300余个项目设计已采用65纳米体效应制程。此外，采用65纳米SOI的设计项目已超过60个，值得一提地是，在欧洲、美国、加拿大和亚洲，很多知名大学已从意法半导体与 CMP的合作中受益。”

通过使用CMP多项目晶圆服务，学术组织和设计企业可获得少量的从数十片到数千片的先进IC。28纳米FD-SOI CMOS制程成本固定在18,000 €/mm2，最少订购1mm2。

意法半导体主管设计实现和服务部的公司执行副总裁Philippe Magarshack表示：“随着首批采用FD-SOI制程的项目设计已上线，目前正是向研究领域推出这项技术的时机。我们的FD-SOI制程支持现有设计快速且轻松地移植到FD-SOI平台，实现低功耗和高性能的双重好处。此外，确保大学院校能够使用我们的先进技术将有助于吸引最优秀的青年工程师，这是我们保持长期技术领导者承诺的一部分。”

Soitec全球战略业务发展高级副总裁Steve Longoria表示：“我们与意法半导体和CMP的合作伙伴关系是Soitec支持FD-SOI生态系统和先进技术用户不断扩大，向开放市场提供差异化材料解决方案的承诺的另一个范例。这个合作伙伴关系为大学和其它客户提供了可靠的下一代集成电路开发测试途径，我们将会看到基于Soitec的FD- SOI 材料的创新产品。”