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STC03DE220HV:意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关
意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管
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STC03DE220HV:意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关
意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管
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TJ3-HT:Vishay新型环形高温电感器
Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高温电感器
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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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DG系列:Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关
日前,Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路复用器与开关
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列,该器件已通过AEC-Q200测试,并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求,同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列
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STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品
意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 场效应管
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STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品
意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 场效应管
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