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获工信部4500亿元财政支持 3G将借力起飞
工业和信息化部部长李毅中13日在国务院新闻办召开的新闻发布会上表示,对于3G的发展,预计两年半到三年会投入4500亿元,三家运营商各发展用户最少5000万户,争取达到8000万
2009-08-18
3G TD 工信部
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获工信部4500亿元财政支持 3G将借力起飞
工业和信息化部部长李毅中13日在国务院新闻办召开的新闻发布会上表示,对于3G的发展,预计两年半到三年会投入4500亿元,三家运营商各发展用户最少5000万户,争取达到8000万
2009-08-18
3G TD 工信部
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全球平板看“金砖” “金砖”平板看中国
2009年1季度，全球平板电视出货量2900多万台，同比增幅24%。同比虽然上升，但低于2008年31%的增幅。从美国、欧洲、日本等平板电视市场看，情况也非常不乐观，都出现了增速放缓、增速停滞、甚至出现负增长的态势。
2009-08-18
平板电视 金砖 中国
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全球平板看“金砖” “金砖”平板看中国
2009年1季度，全球平板电视出货量2900多万台，同比增幅24%。同比虽然上升，但低于2008年31%的增幅。从美国、欧洲、日本等平板电视市场看，情况也非常不乐观，都出现了增速放缓、增速停滞、甚至出现负增长的态势。
2009-08-18
平板电视 金砖 中国
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全球平板看“金砖” “金砖”平板看中国
2009年1季度，全球平板电视出货量2900多万台，同比增幅24%。同比虽然上升，但低于2008年31%的增幅。从美国、欧洲、日本等平板电视市场看，情况也非常不乐观，都出现了增速放缓、增速停滞、甚至出现负增长的态势。
2009-08-18
平板电视 金砖 中国
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SiB4xxDK：Vishay采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 负载 功放 便携电子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 负载 功放 便携电子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 负载 功放 便携电子 Vishay
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全球太阳能设备制造业深陷产能过剩危机
近年，随着新能源概念的逐渐普及，太阳能设备制造业成为增长最快的产业之一。欧洲光伏产业协会预计，在２００８年至２０１０年之间，仅硅晶制造业的投资就可能超过４１亿欧元。下游产业的情况也类似，去年全球太阳能电池和太阳能板制造业的投入超过１６亿欧元。
2009-08-18
太阳能 产能过剩 危机
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