【导读】飞兆100 V BoostPak设备系列通过将MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，简化了电路板装配并节省了空间，该解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。
飞兆半导体通过引入100 V BoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程，将MOSFET和二极管集成在一个封装内，代替LED 电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
通过将MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。
图：飞兆100V BOOSTPAK将MOSFET 和二极管集成在一个封装内
该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。 与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。
FDD1600N10ALZD 主要功能：
• RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
• RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
• 低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值）
• 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）
FDD850N10LD 主要功能：
• RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A
• RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
• 低栅极电荷 = 22.2 nC（典型值）
• 低反向电容 (Crss) = 42 pF（典型值）
主要特点：
• 快速开关
• 100%经过雪崩测试
• 可提高dv/dt处理能力
• 符合 RoHS 标准
供货信息及报价（订购1K）
FDD1600N10ALZD的价格为0.49美元，FDD850N10LD的价格为0.57美元，均可按请求提供样品，收到订单后 8-12 周内可交货。
更多详细信息可参阅：
飞兆100V BOOSTPAK 解决方案:FDD1600N10ALZD 主要参数信息
飞兆100V BOOSTPAK 解决方案:FDD850N10LD主要参数信息
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