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MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高压CV IGBT BJT
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单相光伏并网系统的拓扑结构简介
在单相小功率光伏并网系统中，有隔离型和非隔离型两种拓扑结构。隔离型有成本高、体积大等诸多缺点，因此非隔离型成为目前主流的拓扑结构，本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。
2024-06-08
单相光伏 并网系统 拓扑结构
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创新音频解决方案：类比半导体的国产中大功率功放技术
上海类比半导体技术有限公司（以下简称“类比半导体”或“类比”）作为国内领先的模拟及数模混合芯片设计商，正通过其创新的中大功率模拟/数字功放技术，重塑消费电子市场中高端音频产品的技术标准。随着国产半导体产业的快速崛起，类比半导体基于其17年功放研发经验的团队，另辟赛道，专注中大功率模拟...
2024-06-08
音频 类比半导体 大功率功放
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运用双MOSFET避免SEU的影响
很久很久以前，在一个遥远的星系中，有某个东西突然间爆炸了。其造成的结果是亚原子物质的爆发，而其中的一些物质最终在我们这里找到了出路。
2024-06-08
双MOSFET SEU
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“固本强基”成效显著，元器件、设备企业积极报名第104届中国电子展
元器件和设备制造是电子信息产业的底座，底座牢不牢固，决定着整个产业能否真正行稳致远。在过去的2023年当中，虽然依旧面临着多重风险与挑战，但我国电子信息行业产业链、供应链韧性显著增强，进一步提升了整个行业的安全水平，也为整个国民经济积极发挥了“压舱石”“倍增器”“催化剂”的重要作用。
2024-06-07
元器件 设备 中国电子展
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跨电感电压调节器的多相设计、决策和权衡
最近推出的跨电感电压调节器(TLVR)在多相DC-DC应用中颇受欢迎，这些应用为CPU、GPU和ASIC等低压大电流负载供电。这一趋势主要基于该技术出色的瞬态性能。TLVR还支持灵活的设计和布局，但有几个缺点。本文阐述了TLVR设计选择如何影响性能参数，并讨论了相关权衡。
2024-06-06
跨电感 电压调节器
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SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文将介绍根据在上一篇文章中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
2024-06-06
SiC MOSFET 线性近似分割 波形
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低抖动差分时钟：赋能AI时代光网络精准同步
差分晶振是一种有源晶体振荡器，通过将晶体振荡器中的振荡信号分成两个相位相反的输出信号，并通过差分放大电路进行放大和处理，产生稳定的差分输出信号。差分晶振具有较好的抗干扰能力，能提供更稳定、更精确的时钟信号，广泛应用于通信网络、数据中心、汽车电子、工业自动化、测试测量、医疗设备...
2024-06-06
差分时钟 AI 光网络
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电源轨难管理？试试这些新型的负载开关 IC！
本文将讨论负载开关的作用，其基本功能、附加功能以及高级特性，正是这些功能使得它们不仅仅相对简单，而且可对电源轨进行电子开/关控制。文章将使用 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) 的 TCK12xBG 系列中的三个新型负载开关 IC 来描述这些要点，并展示如何应用它们来满...
2024-06-06
电源轨 负载开关 IC
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