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P沟道功率MOSFETs及其应用
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120V）和非隔离的负载点更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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关于高速电路中的AC耦合电容
在很多高速串行信号中，都会使用到AC耦合电容，既然在设计高速串行电路时，任何一个小小的不同都会引起信号完整性问题，为什么要在串行链路中加入一个AC耦合电容呢？这个电容不仅会导致信号边沿变得缓慢，还有可能会引起阻抗不连续。
2024-04-04
高速电路 AC耦合电容
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汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型电路设计正在改变
汽车市场正在转向区域控制器架构的趋势方向，而汽车区域控制器架构正朝着分布式、集成化、智能化的方向发展，以实现更高效的数据处理、功能整合与自动驾驶支持。基于区域控制器架构带来很多设计的机会与挑战，例如SmartFET正越来越多替代传统的MOSFET器件。
2024-04-04
汽车 控制器 电路设计
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意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度
随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用，设计人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。意法半导体推出可提升高开关频率功率转换器能效的100V沟...
2024-04-03
意法半导体 肖特基整流二极管
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揭秘电压基准源：如何选择才能确保电子系统稳定如初？
高精度电压基准源是众多电子设备和系统的重要组件，其性能的优劣直接影响整个系统的稳定性和可靠性。除了高精度这一特性之外，低温漂、低噪声、低功耗等特性同样是电压基准源在应对各类电子设备日益严苛要求时的必备要素。
2024-04-03
电压基准源 电子系统
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实现高降压比的三种紧凑型解决方案
本文将阐述为何非隔离式DC-DC降压转换器（在本文中简称为降压转换器）在高输出电流下将高DC输入电压转换为很低的输出电压时会面临严峻挑战，并介绍可以实现高降压比，同时保持小尺寸的三种不同方法。
2024-04-03
DC-DC 降压转换器
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自适应能量采集PMIC有助于构建环保的自动互联设备
人们常提议利用环境能量采集技术为远程物联网设备的电池充电，但这种技术尚未普及。本博客探讨了导致这一情况的原因，并介绍了Nexperia（安世半导体）的创新型电源管理集成电路(PMIC)，该集成电路将从根本上提高能量采集的可行性，且环境效益显著。
2024-04-03
能量 PMIC 环保 自动互联设备
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基于RTC的低功耗精准时钟同步
时钟同步的应用广泛，但常规的时钟同步方案或对终端设备要求高，或原理相对复杂。对此，本文利用大普的RTC秒上升沿即时生效原理，设计一种低功耗、高精确时钟同步方案。
2024-04-03
RTC 时钟
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利用双MOSFET最大限度地提高开关转换器应用的功率密度和性能
工业和汽车开关转换器和电机驱动器都需要体积小、效率高、电气噪声低的金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)。双 MOSFET 方法有助于满足这些要求。
2024-03-29
双MOSFET 开关转换器
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