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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan钽芯片电容

STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列

意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源

STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列

2008-05-13

STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列，该器件已通过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列

VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED

为满足日益增长的对AlInGaP技术的需求，日前，Vishay宣布推出两种新系列的、采用倒立鸥翼式封装的黄色和红色SMD LED，这两种系列的SMD LED具有高发光强度和低功耗的特点。

2008-05-09

VLRE31 VLRK31 LED

VAR：Vishay 新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音频电阻，该电阻采取特殊设计，可增加信号清晰度。当温度范围在 -55°C 至 +125°C 时，该器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散热产生的 ∆R）、0.01% 的绝对容差且电流噪声小于 -40dB。

2008-05-07

VAR Z 箔音频电阻

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列，推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块，替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

DS4M-XO系列：Maxim超高频晶体振荡器

Maxim推出DS4M-XO系列晶体振荡器，支持100MHz至300MHz工作频率，并提供频率容限调节功能。DS4M-XO系列产品尺寸小、性能高并且易于使用，可理想用于Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空间受限的场合。

2008-05-05

DS4M-XO 晶体振荡器

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