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如何选择电源系统开关控制器的 MOSFET？

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。

2021-11-19

电源系统开关控制器 MOSFET

如何实现最佳的DCM反激式转换器设计？

反激式转换器在连续导通模式 (CCM) 和非连续导通模式 (DCM)下都可以工作。但对许多低功耗和低电流应用而言，DCM反激式转换器更加紧凑而且成本更低。本文将详细介绍此类转换器的设计步骤。

2021-11-18

DCM反激式转换器

如何在48V系统中轻松应用GaN FET？

GaN FET可以应用在48V电源系统中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合适控制器，工程师们常利用DSP数字解决方案来实现其高频和高效率设计。然而，DSP解决方案因为需要额外的IC而增加了复杂性和难度。本文介绍了一种兼容GaN FET的模拟控制器，它只需很少的器件，就可以让设计人员像使用硅FET一样简单地设...

2021-11-17

48V系统 GaN FET

干货 | 指定支持Wi-Fi®的MCU时的注意事项

工业物联网的发展趋势是在一个SoC而非多个离散器件中执行更多功能，以精简物料清单、降低设计风险、减少占用空间。Wi-Fi® MCU即是一个典型，它将Wi-Fi连接与处理器及所需GPIO集成在一起，以满足多种应用的需求。在指定其中一个器件时，需要考虑多个因素，并需审慎进行选择，因此务必对这些器件有所...

2021-11-17

Wi-Fi MCU

保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。

2021-11-16

保护器件过电应力失效

基于模型的GAN PA设计基础知识：GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性

在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮...

2021-11-16

GAN晶体管 S参数电阻稳定性

分析无芯变压器栅极驱动器

功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间，ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器，以实现稳健的隔离，这对SiC技术尤其有用。碳化硅已被引入工业和汽车市场的广泛应用中，包括太阳能逆变器，所有类型的高压电源和汽车车载电池充电器。

2021-11-15

无芯变压器栅极驱动器

适用于工业应用的 NAND 闪存

如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术，并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。

2021-11-15

工业应用 NAND 闪存

运算放大器输出电压反向问题：正确选型，轻松化解！

当运算放大器的其中一个内部级不再具有足够的偏置电压并因此关闭时，通常会出现这种情况。这将导致输出电压摆幅到相反的供电轨上，直至输入返回到共模范围，如下所示（在电压跟随器中）。请注意，输入仍可位于电源电压轨中，但只能高于或低于某个指定共模限值。

2021-11-12

运算放大器电压反向

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