产品特点：
- 新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能
- 新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装
- 新器件符合RoHS，可以不含卤素
应用领域：
- 消费和网络领域的计算应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比 SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过‘二合一’交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。”
单双 N通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。
单个 N通道
|
器件编号
|
Bvdss
(V)
|
封装
|
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
在TC=25°C 下的Id (A)
|
在TA =25°C 下的Id (A)
|
典型Qg
(nC)
|
|
IRL(R,U)8256(TR)PBF
|
25
|
D-Pak/I-PAK
|
5.7
|
8.5
|
81
|
N/A
|
10
|
|
IRL(R,U)8259(TR)PBF
|
25
|
D-Pak/I-PAK
|
8.7
|
12.9
|
57
|
N/A
|
6.8
|
|
IRF8252(TR)PBF
|
25
|
SO-8
|
2.7
|
3.7
|
N/A
|
25
|
35
|
|
IRL(R,U)8743(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
3.1
|
3.9
|
160
|
N/A
|
39
|
|
IRL(R,U)8726(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
5.8
|
8.0
|
86
|
N/A
|
15
|
|
IRL(R,U)8721(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
8.4
|
11.8
|
65
|
N/A
|
8.5
|
|
IRL(R,U)8729(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
8.9
|
11.9
|
58
|
N/A
|
10
|
|
IRFH3702(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 3 x 3
|
7.1
|
11.8
|
N/A
|
16
|
9.6
|
|
IRFH3707(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 3 x 3
|
12.4
|
17.9
|
N/A
|
12
|
5.4
|
|
IRFH7932(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
3.3
|
3.9
|
N/A
|
24
|
34
|
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
3.5
|
5.1
|
N/A
|
24
|
20
|
|
|
IRFH7936(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
4.8
|
6.8
|
N/A
|
20
|
17
|
|
IRFH7921(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
8.5
|
12.5
|
N/A
|
15
|
9.3
|
|
IRFH7914(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
8.7
|
13
|
N/A
|
15
|
8.3
|
|
IRF8788(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
2.8
|
3.8
|
N/A
|
24
|
44
|
|
IRF7862(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
3.7
|
4.5
|
N/A
|
21
|
30
|
|
30
|
SO-8
|
3.5
|
5.1
|
N/A
|
21
|
20
|
|
|
IRF8736(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
4.8
|
6.8
|
N/A
|
18
|
17
|
|
IRF8721(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
8.5
|
12.5
|
N/A
|
14
|
8.3
|
|
IRF8714(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
8.7
|
13
|
N/A
|
14
|
8.1
|
|
IRF8707(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
11.9
|
17.5
|
N/A
|
11
|
6.2
|
双N通道
|
器件编号
|
封装
|
配置
|
Bvdss
(V)
|
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
最大Vgs (V)
|
典型Qg
(nC)
|
|
IRF8313PBF
|
SO-8
|
独立
对称
|
30
|
15.5
|
± 20
|
6.0
|
|
IRF8513PBF
|
SO-8
|
半桥
非对称
|
30
|
12.7
|
± 20
|
7.6
|
|
15.5
|
5.7
|
