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2011年功率电晶体市场将达131亿美元

发布时间:2011-07-01

机遇与挑战:
  • 功率电晶体平均销售价格会出现些微下滑的迹象
市场数据:
  • 2011年功率电晶体市场规模将达131亿美元
  • 间离散式 IGBT 电晶体的CAGR预测为6.5%,营收规模在2015年可达12亿美元

市场研究机构IC Insights预测,全球功率电晶体(power transistors)市场2011年将达到131亿美元营收规模,较2010年成长9%;该市场在 2010年的成长率为44%。IC Insights指出,功率电晶体市场的成长动力,来自汽车、可携式产品、替代能源与省电设备等应用领域。

不过 IC Insights 也指出,功率电晶体平均销售价格会出现些微下滑的迹象;该市场 2011年全球出货量预期可成长11%,达到588亿颗的新高纪录,主要得益於该元件在汽车电子、新一代再生能源系统、电池供电可携式产品,以及各类设备运用的高效率电源供应器应用领域,优於平均水准的销售表现。

在功率电晶体市场中,内建IGBT之模组销售金额,预期可在 2011年成长10%,达到25亿美元规模;同时间IGBT电晶体元件与功率 FET什么是FET? 市场,则预测可成长9%,分别达到9.6亿美元与69亿美元的营收规模。

2011年功率电晶体市场规模将达131亿美元


2011年功率电晶体市场营收预测

根据IC Insight的预测,整体功率电晶体市场营收将在2010至2015年间,取得6.4%的复合年平均成长率(CAGR),在2015年达到163亿美元规模;同时期低电压(200V以下)功率FET市场CAGR为6.7%,到2015年营收规模可达164亿美元。

IGBT模组在2010~2015年间的CAGR预测为7.0%,在2015年达到32亿美元营收规模;同期间离散式 IGBT 电晶体的CAGR预测为6.5%,营收规模在2015年可达12亿美元。
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