新闻事件：

• 罗姆将出席西部电子论坛，在“新型节能设计技术研讨会”上开展技术讲座
• 罗姆力推SiC技术，介绍SiC产品及SiC器件的应用设计

事件影响：

• 罗姆积极布局西部新能源与节能设计市场

十年西部大开发为西部的基础设施和民生带来重大提升，同时也推动了西部电子产业的发展。目前我国西部已形成重庆、成都和西安为代表的三个产值过千亿的电子产业中心。西部巨大的市场需求、人才储备和成本优势也正在吸引众多知名电子企业加速进驻西部，这也带来了西部电子研发活动的持续活跃。因应这样的趋势，全球知名元器件厂商罗姆早在两年前就开始积极进行西部布局，陆续在西安、成都和重庆三地设立了办事处和技术中心，实现对客户的本地支持，开展与西部电子企业的合作。

罗姆认为，近年来，西部地区以其独特优势正在快速承接电子制造的产业转移，其巨大的发展潜力已经吸引一批又一批电子企业落户——英特尔、摩托罗拉投资成都，富士康、惠普入驻重庆，中兴、华为进军西安……为这一地区带来数千亿元的电子元器件配套商机。目前罗姆正在与西部大型电子企业展开合作，凭借一体化的本地市场和技术优势与客户共同研讨应对最新的技术要求，并提出最完善的解决方案。与此同时，罗姆和部分西部高校之间也正进行着战略合作——与电子科技大学共同研究的SiC防静电仿真实验已完成建模，进入优化对策阶段；同时罗姆和西安交通大学之间在电源、风电和太阳能方面的合作也已步入正轨。

在西部潜力巨大的市场中，罗姆最为看重的是新能源与节能设计相关的市场。罗姆表示，在科技部发布的十二五规划中，将新能源汽车和节能环保列为重点发展产业，这些产业也将成为西部地区未来的发展重点。新能源汽车、新能源利用和节能设计注重能效与可靠性，而罗姆的SiC器件的应用就可以显著提高系统能效与可靠性。

SiC功率器件是一种新型功率器件，SiC的导通电阻只有Si的1/5，开关速度高，在250度高温可正常工作，适用于太阳能发电，风力发电等的DC/AC转换器，混合动力车和电动汽车用的充电器，以及工业生产设备和空调的功率逆变器等。2009年SiC晶圆供应商德国的SiCrystal公司加入罗姆，从而使罗姆确立了SiC器件一条龙的生产体系。2010年，罗姆推出低功耗、高电压的SiC肖特基二极管SCS110A系列产品，并且开始量产SiC晶体管（DMOSFET），正在推进新一代SiC制Trench MOS的开发。而且，罗姆成功地进行了高速、高温工作的SiC功率模块的试制。目前，罗姆计划将推出采用了SiC-MOSFET和SiC二极管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模块）产品。

8月23日和25日，罗姆技术专家将出席由中国（西安）电子展和CNT Networks、China Outlook Consulting联手推出的西部电子论坛，并在“新型节能设计技术研讨会”上进行专门的技术讲座，特别介绍最新的SiC产品，以及SiC器件的应用设计。有关罗姆技术讲座详情请关注：http://www.cntronics.com/seminar。