- 第二代SiC肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM” VF为1.35V
- 与传统产品VF为1.5V相比,新产品正向电压降低了10%
- 太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路
罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业界最小正向电压(VF=1.35V)的第二代SiC肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。与传统产品相比,正向电压降低了10%,非常有助于各种设备实现更低功耗。

图1:罗姆第二代SiC肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”
生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),从6月份开始出售样品 (样品价格500日元/个)并陆续量产。罗姆于2010年成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产,于2012年3月在世界上率先成功将“全SiC”功率模块投入量产等等,产品开发在行业中遥遥领先。
罗姆SiC-SBD正向电压突破1.5V门槛
与Si元件相比,电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。
如今,SiC-SBD已经逐渐在世界范围内广泛量产,但形成通态损耗的正向电压长期维持在1.5V的状态,市场上为了追求更低损耗,要求降低正向电压。本次罗姆新推出的第二代SiC肖特基势垒二极管正向电压降低到了1.35V。
通常,正向电压降低反向漏电流就会增加,罗姆通过改善工艺和元件构造,在确保极低漏电流的基础上成功降低了正向电压。特别是正向上升电压较低,有望改善一般使用频率较高的低负载状态下的效率。
新系列首先从600V-10A的产品开始量产,今后将逐步扩大产品阵容。计划在数月内开始1200V产品的量产。
本产品将在6月19~21日在上海世博展览馆举行的电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理等最新技术的专业展会“PCIM-ASIA 2012”上展出,欢迎届时莅临参观。

图2:罗姆新款SiC-SBD正向电压从传统的1.5V降为1.35V

图3:罗姆新款SiC-SBD实现了更低的开关损耗

表:罗姆第二代SiC肖特基势垒二极管系列规格表