SiC及GaN等新一代功率半导体有望实现现有Si材料无法实现的大幅提高效率及小型化。2012年，这些新一代功率半导体在实用化方面取得了很大进展。其中，应用最为活跃的是SiC二极管，已扩展到铁路及工业设备领域。

比如铁路领域，东京Metro地铁银座线的“01系车辆”配备三菱电机制造的带SiC二极管的逆变器装置，从2012年2月开始运营。

在工业设备领域，富士电机于2012年9月推出了配备SiC二极管的、可驱动泵机及风扇的逆变器装置。三菱电机在对连接在CNC（数控装置）上的机床马达进行驱动及控制的“马达驱动装置”上采用SiC二极管，从2012年12月开始销售。

SiC功率元件的开发也在加快。尤其是功率模块方面，不断有新产品亮相。进入2012年后，科锐（Cree）、三菱电机、罗姆均推出了全SiC功率模块产品。最先行动的是罗姆，，科锐及三菱电机则紧跟其后。三菱电机早已在自家的逆变器装置上采用SiC功率模块，而对外销售是从2012年开始的。

SiC晶体管方面也有新种类的晶体管产品推出，这就是BJT（bipolar junction transistor）。飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）宣布，将于2013年上半年开始量产BJT。

耐压600V的GaN产品亮相

GaN功率元件在2012年也有长足进步，已有耐压600V的GaN功率晶体管产品亮相。以往产品的最大耐压只有200V。开始提供耐压600V产品的是美国的TransPhorm公司，该公司的GaN功率晶体管单体为常开工作，但通过在该GaN功率晶体管上级联Si制MOSFET，可实现常闭工作。

随着耐压600V的产品亮相，GaN功率元件在输出功率为数kW的功率转换器领域的应用也进入了实质性阶段。实际上，安川电机就试制出了使用GaN功率元件的太阳能发电用功率调节器，该公司2012年10月宣布，力争在2014年内实现实用化。

如上所述， SiC及GaN功率元件的实用化在2012年取得了长足进步，2013年相关行动将更为活跃。