【导读】TOSHIBA公司发布600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列，与传统产品相比，RON•A 降低达 30%。这种改进使得芯片于各种封装中实现了更低的导通电阻，这就提高了电源效率也显著地减少了集成组件数量。
600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W。东芝已经开发出第四代600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列。该系列采用了最新的单层外延工艺， 所以显著地提高了性能，其数字元元化的优点是，与传统产品 (DTMOSIII) 相比，RON•A 降低达 30%。这种对于RON•A的改进使得芯片于各种封装中实现了更低的导通电阻，这就提高了电源效率也显著地减少了集成组件数量。
图1: 600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列
特征
与传统产品(DTMOS III)相比，RON•A下降了30%。
因为采用了单层外延工艺，所以高温时的低导通电阻有略微上升。
由于COSS降低，EOSS比传统产品(DTMOS III)下降了12%。
导通电阻(RDS(ON)最大值)的阵容广泛:0.9至0.018Ω。
封装阵容广泛
应用
开关电源、微型逆变器、LED 照明、LCD 电视机、适配器、充电器。
图2：电路实例
图3：半桥式AC-DC电源的电路实例
