【导读】ST的超高速串联二极管非常受市场欢迎，到目前为止，出货量已超过5千万颗。今天第二代超高速串联二极管问世，与第一代产品相比，反向恢复电荷降低了，因此即便开关频率高达100KHz，只要结温低于100摄氏度，其性能表现就与SiC二极管差不多，而且价格还至少低30%。SiC二极管的优势是它的性能跟结温没关系，即便结温高达175摄氏度，性能表现仍是一样。
ST超高速串联二极管自问世以来一直深受市场欢迎，至今出货量已超过5千万颗。为了让设计人员以更高成本效益提升电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩的能效，意法半导体（ST）推出了第二代600V、8A/12A超高速串联二极管（tandem diodes）。与ST第一代产品相比，新的超高速串联二极管产品降低了反向恢复电荷(QRR，reverse-recovery charge)，从而能够最大限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度，缩短设备厂商的新产品上市时间。
第二代600V、8A/12A超高速串联二极管性能在开关频率高达100KHz和结温低于100摄氏度时，可与碳化硅二极管相媲美，但价格比碳化硅二极管低至少30%。SiC二极管的性能不受结温的影响，在结温高于100摄氏度时，SiC二极管性能高于超高速串联二极管。目前ST已开发出650V、20A的SiC二极管，使得其SiC二极管产品系列支持正向电流为4A、6A、8A、12A和20A的不同应用。
ST第二代600V、8A/12A超高速串联二极管包括平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与 12A的STTH12T06DI，属于意法半导体600V串联二极管系列。新产品的正向涌流峰值与超高速二极管相同，确保稳健性和可靠性，工作结温范围宽达 -40°C到 175°C。
这三款器件现已全部投入量产，采用TO-220AC绝缘散热柱型封装。
