【导读】在此之前我们已经了解了在功耗恒定时估算TJ的计算示例，本文将介绍在功耗瞬时增加的条件下的计算方法和示例。
电子设备中半导体元器件的热设计
本文的关键要点
❖当预计会出现瞬时功耗增加的情况时，需要计算出瞬态峰值TJ。
❖在求瞬态温升时，热阻值使用瞬态热阻值。
❖需要确认瞬态峰值TJ是否超过TJ MAX。
在此之前我们已经了解了在功耗恒定时估算TJ的计算示例，本文将介绍在功耗瞬时增加的条件下的计算方法和示例。
瞬时波动示例
IC还使用与之前相同的LDO线性稳压器BD450M2EFJ-C。条件要考虑输入电压VIN如图1所示产生瞬时波动的情况。稳态输入电压为13.5V，这里是一个在60s的周期内、从13.5V变为35V达3s时长的例子。
当输入电压发生瞬时波动时，最终，功耗也会发生瞬时波动，因此可以想象TJ也会随之波动。在这种情况下，需要使用瞬态热阻计算出瞬态温升，将瞬态温升与稳态TJ相加来计算TJ。
什么是瞬态热阻？
严格来讲，TJ通常从通电的时间点开始上升（发热），经过一定时间后趋于稳定。正常的热阻θJA是在稳定状态下的发热量除以功耗而获得的值。而瞬态热阻则具有时间参数。在图1的示例中，瞬态热阻是VIN从13.5V变为35V并经过3s时所产生的热量除以波动的功耗而获得的值。
图2为瞬态热阻示例。从图中可以看出，瞬态热阻ZTH随着瞬态时间（脉冲宽度）的增加而增加，大约300s后热阻值趋于稳定。
瞬态热阻通常会以曲线图的方式提供，可以根据图中的瞬态时间（脉冲宽度）来读取瞬态热阻值。从该图中可以读取到3s/周期（Duty）5%情况下的瞬态热阻ZTH（黄绿线）为21℃/W。此外，40℃/W的稳态值是作为封装的θJA值提供的。
使用瞬态热阻值进行TJ估算时的示例
如前所述，TJ是将使用瞬态热阻计算得到的瞬态温升与稳态TJ相加求得的。计算步骤是：先计算稳态和瞬态功耗，接下来使用它们的热阻计算各自的温升（发热量），然后，将稳态和瞬态时的发热量之和加上TA，得到瞬态TJ。下面我们来具体计算一下。
1 计算稳态VIN＝13.5V、VOUT＝5.0V、IOUT＝90mA、ICC＝40μA（TYP）时的功耗。
2 计算瞬态VIN＝35V时的功耗P2。请记住，P2是包括稳态P1＝0.77W在内的值。
3 使用上述稳态热阻θJA＝40℃/W和3s/Duty 5%的瞬态热阻ZTH(3s)＝21℃/W，分别计算出它们的TJ的温升。瞬态期间的温升是通过从P2中减去常温下的功耗P1得到的功耗值计算出来的。
两种温升相加，求得整体的温升。
4 最后，通过加上瞬态环境温度TA来求得TJA为65℃。
5 这样，我们就获得了13.5V的VIN在60s的周期内瞬时上升到35V达3s时长的条件下的最大TJ。图3是VIN瞬态变化与温升关系示意图。由于图2所示的瞬态热阻特性具有时间参数，因此温升波形是VIN的积分波形。
此前的TJ计算是为了掌握功耗瞬时增加时的TJ峰值。还有一种不同的方法，是通过平均功耗来估算TJ。下面是在上述相同条件下的计算示例。热阻值使用稳态热阻θJA＝40℃/W。
在前面的计算中，瞬态期间的温升为71.3℃，因此我们可以看出平均功耗的计算方法在这种情况下是不适用的。
在热计算中最重要的确认要点是TJ是否超过了绝对最大额定值TJ MAX。绝对最大额定值是即使一瞬间也不能超过的值，因此有必要知道瞬态期间的峰值温度。
当瞬态时间足够长时（暂且不论这是否称为“瞬态”），例如，在图2的示例中，当脉冲宽度超过300s时，瞬态热阻=稳态热阻，因此只要通过稳态热阻求最大功耗时的TJ，并确认该值小于TJ MAX即可。
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