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电源管理

VMMK-1218/25:安华高面向无线通信应用超小FET产品

Avago宣布，推出超小封装尺寸场效应晶体管产品VMMK-1218和-1225，占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，带来具备高频工作能力和卓越散热效果的小型化晶体管产品。这些器件不需要负电压就能工作，为射频应用设计工程师带来成本更低并且使用更容易的好处。

2008-04-11

VMMK-1218 VMMK-1225 场效应晶体管 FET

Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT芯片级封装，具有超薄厚度及最低导通电阻。

2008-04-09

Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET

MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速无源开关

Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)无源开关，能够切换速率在5.0Gbps的数据。这两款无源开关支持PCIe 2.0数据切换，具有较低的功耗，并且提供按信号流向的引脚配置以优化PCB布板。

2008-04-07

MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)无源开关 DisplayPort

B3292*E/F系列：EPCOS新薄膜电容器

凭借新款B3292*E/F系列，爱普科斯(EPCOS) 现可供应支持高达45μF容值的X2防护级电容器。该元件专用于305V交流电和110℃的跨线应用，并且已经通过IEC60384-14、UL1283和CSA 22.2第8级别的认证。

2008-04-01

B3292*E/F 薄膜电容器

MAX4929E：Maxim新低频HDMI/DVI控制开关

Maxim推出MAX4929E低频HDMI/DVI控制开关。该器件能够在进入单个显示器的两路数字视频信号之间进行切换，或在多个HDMI/DVI连接器之间切换，并保持高度的信号完整性。

2008-03-27

MAX4929E HDMI/DVI控制开关

Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。

2008-03-26

Si7192DP 功率MOSFET Siliconix TrenchFET

电流互感器：爱普科斯新型电流互感器适用于DC∕DC转换器

爱普科斯(EPCOS) 借助能够节省空间的SMT（表面安装技术）设计，现研发出两种系列电流互感器，特别适用于紧凑型DC∕DC 转换器。第一种系列基于EE5 磁芯，第二种系列采用更加紧凑的E4.2磁芯，为一小尺寸系列。

2008-03-18

电流互感器 SMT DC∕DC 转换器

GA..系列：Vishay高额定电流的半桥600V 及1200V IGBT模块

日前，Vishay宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

2008-03-14

GA100TS60SFPbF GA200HS60S1PbF GA200TS60UPbF GA75TS120UPbF GB100TS60NP GA100TS120UPbF IGBT 绝缘栅双极型晶体管

VLMW611../VLMW621..系列：Vishay新型功率SMD LED

日前，Vishay推出采用 InGan技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封装，而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 业界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封装。

2008-03-12

LED VLMW611.. VLMW621..

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