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电源管理

Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。

2008-06-18

Si8445DB 功率MOSFET

B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新电感器系列

爱普科斯(EPCOS)开发出紧凑的小型电感器，其高度仅为1.0毫米，占用面积仅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的电感范围介于0.5至22μH，饱和电流最高为1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分别为2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其饱和电流最高为3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 电感器

SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

B1642：EPCOS电缆调制解调器用声表面波滤波器

爱普科斯(EPCOS)现可提供B1642声表面波（SAW）滤波器，用于接收宽带电视和接入因特网的电缆调制解调器。该产品专门针对国际第三代有线电缆数据业务接口规范（DOCSIS 3.0标准）而研发,这一规范将主要应用在美国和韩国。

2008-05-21

B1642 声表面波滤波器 SAW滤波器

STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关

意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关

Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3µA)，从而能够实现高频切换。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT开关

Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E，可切换多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz)，允许采用单个连接器实现高性能的切换。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT开关

SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列

意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二极管 diode 消费电子

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