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SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。
2023-06-07
SMPD 先进绝缘封装 SiC MOSFET
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第4代SiC MOS、1700V驱动…意法半导体透露了这些重点
过去一年，产业领先企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部营销和应用副总裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
SiC MOS 驱动 意法半导体
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尼得科与瑞萨合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案
尼得科株式会社（以下简称“尼得科”）瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。
2023-06-06
尼得科 瑞萨 电驱系统
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设计电荷泵双极电源
关于双电源的注意事项：毫无疑问，许多模拟电路都可以在单电源环境中实现，而且这种方法很有优势。然而，我个人的看法是，当使用双极电源时，模拟电路更直接、更直观。我是不愿意用不必要的电源电路使设计复杂化的人，但本文介绍的电荷泵电路非常简单紧凑，它使双极性电源成为许多模拟和混合信号设...
2023-06-06
电荷泵 双极电源
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隔离型驱动芯片下面到底能不能走线
首先给出结论：一般我们把隔离驱动芯片的垂直面下方的PCB设为禁止布线层，既不走任何的信号也不放置各类元器件，如图1所示。然后再讨论为什么不能布线，最后介绍例外的应用情况。
2023-06-06
隔离型 驱动芯片 布线
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小心弯曲：为什么不应通过元件脚端弯曲来走捷径
许多电力工程师都知道如何使用其手工原型获得可行的成果，但在生产环境中，我们需要更好地控制脚端弯曲。否则，可能会引起数不尽的问题。本博客文章讨论了获得可靠结果要避免的错误以及应遵循的建议。
2023-06-06
脚端弯曲 电力电子
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相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。
2023-06-06
SiC 混动和电动汽车 能效
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X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增...
2023-06-05
X-FAB BCD-on-SOI 解决方案
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纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议，共同投资于碳化硅扩产
2023年6月1日 - 纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采...
2023-06-05
纬湃科技 安森美 碳化硅
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