开关电路中，每个 PIN 二极管都有附随的 PIN 二极管驱动器或开关驱动器，用来提供受控正向偏置电流、反向偏置电压以及控制信号（通常是一个数字逻辑命令）与一个或多个 PIN 二极管之间的激活接口。根据应用需要，可以采用分立设计或专门 IC 实现这种驱动器功能。

 

另一方面，也可以使用随处可得的运算放大器以及箝位放大器、差分放大器等特殊放大器作为备选方案，代替分立 PIN 二极管驱动电路和昂贵的 PIN 二极管驱动器 IC。此类运算放大器具有宽带宽、高压摆率和充裕的稳态电流，可驱动 PIN 二极管。本文讨论三种不同的 PIN 驱动器电路，它们采用运算放大器或特殊放大器：AD8037、AD8137 和 ADA4858-3。这些电路设计用于单刀双掷 (SPDT) PIN 二极管开关，但也可以对其进行修改，以适合其它电路配置。在详细说明这些电路之前，本文将先讨论 PIN 二极管的特性和使用。

 

PIN 二极管

 

PIN 二极管用作电流控制电阻，工作在 RF 和微波频率，正向偏置（"导通"）时其电阻只有几分之一欧姆，反向偏置（"截止"）时其电阻高达10 kΩ以上。与典型的PN 结二极管不同，PIN 二极管的 P 区与N区之间多了一层高阻性本征半导体材料（用 PIN 中的"I"表示），如图 1 所示。

 

图 1. PIN 二极管

 

当 PIN 二极管正向偏置时，来自 P 材料的空穴和来自 N 材料的电子注入I 区。电荷并不能立即完成重新合并；电荷重新合并所需的有限时间量称为"载流子生命周期"。这导致I 区中存在净存储电荷，因而其电阻会降至某一个值，称为二极管的有效导通电阻RS（图 2a）。

 

当施加反向或零偏置电压时，二极管呈现为一个大电阻 RP它与电容CT 并联（图2b）。通过改变二极管几何结构，可以使 PIN 二极管具有不同的 RS 和 CT 组合，以满足各种电路应用和频率范围的需要。

 

图2. PIN 二极管等效电路：a) 导通，IBIAS >> 0. b) 截止, VBIAS ≤ 0.

 

驱动器提供的稳态偏置电流I_SS和反向电压共同决定RS 和 CT的最终值。图 3 和图 4 显示了典型PIN 二极管系列——M/A-COM MADP 042XX8-130601系列硅二极管的参数关系。二极管材料会影响其特性。例如，砷化镓(GaAs) 二极管几乎不需要反向偏置就能实现低CT值，如图 9 所示。

 

图3. 硅二极管导通电阻与正向电流的关系

 

图4. 硅二极管电容与反向电压的关系

 

PIN 二极管中存储的电荷可以利用公式1进行近似计算。

 

   (1)

 

其中：

 

Q_S = 存储的电荷

 

τ = 二极管载流子生命周期

 

I_SS = 稳态电流

 

要导通或截止二极管，必须注入或移除所存储的电荷。驱动器的工作就是以极快的速度注入或移除所存储的电荷。如果开关时间小于二极管的载流子生命周期，则可以利用公式2 近似计算实现快速开关所需的峰值电流(IP).

 

   (2)

 

其中：

 

t = 所需的开关时间

 

I_SS = 驱动器所提供的稳态电流，用来设置PIN 二极管导通电阻RS

 

τ = 载流子生命周期

 

驱动器注入或移除电流（或"尖峰电流"）i 可以表示为公式3。

 

   (3)

 

其中：

 

C = 驱动器输出电容（或"尖峰电容"）的值

 

v = 输出电容上的电压

 

dv/dt = 电容上的电压的时间变化率

 

PIN二极管偏置接口

 

将开关驱动器控制电路与PIN 二极管相连，以便通过施加正向或反向偏置来开关二极管，是一项具有挑战性的工作。偏置电路通常使用一个低通滤波器，它位于 RF 电路与开关驱动器之间。图5 显示了一个单刀双掷(SPDT) RF 开关及其偏置电路。当设置妥当时，滤波器L1/C2 和L3/C4 允许将控制信号施加于PIN 二极管D1–D4，控制信号与RF 信号（从RF IN 切换至PORT 1 或PORT 2）的相互影响极少。这些元件允许频率相对较低的控制信号通过PIN 二极管，但会阻止高频信号逃离RF 信号路径。不正常的RF 能量损耗意味着开关的插入损耗过高。电容C1、C3 和C5 阻止施加于二极管的直流偏置侵入RF 信号路径中的电路。直流接地回路中的电感L2 允许直流和低频开关驱动器信号轻松通过，但对于RF 和微波频率则会呈现高阻抗，从而降低RF 信号损耗。

 

图5. 典型单刀双掷(SPDT) RF 开关电路

 

偏置电路、RF 电路和开关驱动器电路全都会发生交互影响彼此的性能，因此像所有设计一样，权衡考虑各种因素十分重要。例如，较大的C2和C4 (>20 pF) 对RF 性能有利，但对驱动器则是麻烦，因为大电容会导致上升沿和下降沿较慢。快速开关对大多数应用都有利；因此，为了实现最佳驱动器性能，电容必须极小，但为了满足RF 电路要求，电容又必须足够大。

 

传统PIN 二极管驱动器

 

PIN 二极管驱动器有各种形状和尺寸。图6 给出了一个可提供高开关速度的典型分立开关驱动器的原理图。这种驱动器既可以采用"片线"（混合）结构来实现，也可以采用"表贴"(SMT) 器件来实现；前者非常昂贵，后者虽不昂贵，但需要的印刷电路板(PCB) 面积多于混合结构。

 

图6. 分立开关驱动器电路

 

还有专用开关驱动器集成电路(IC)；这些 IC 十分紧凑，提供TTL 接口，并具有良好的性能，但灵活性有限，而且往往很昂贵。

 

还有一种开关驱动器架构应当考虑，即采用运算放大器。运算放大器开关驱动器的明显优势在于其自身的灵活性，可以轻松地对其进行配置，以适应不同的应用、电源电压和条件，为设计人员提供丰富的设计选项。

 

运算放大器PIN 二极管驱动器

 

运算放大器电路是一种很有吸引力的PIN 二极管驱动备选方案。除灵活性外，这种电路常常还能以接近或超过1000 V/μs的跃迁速度工作。下面将介绍三种不同的RF PIN 二极管放大器驱动电路。所选放大器虽然在根本特征上各不相同，但都能执行类似的功能。这些放大器电路可以驱动硅或砷化镓(GaAs) PIN 二极管，但各有各的特点。

 

AD8037 —箝位放大器

 

该电路能以最高10 MHz 的频率工作，具有出色的开关性能，总传播延迟为15 ns。通过改变增益或箝位电压，可以调整输出电压和电流，以适应不同的应用。

 

箝位放大器AD80372原本设计用于驱动ADC，可提供箝位输出以保护A D C 输入不发生过驱。图7 所示配置用一对AD8037（U2 和 U3）驱动 PIN 二极管。

 

图7. AD8037 PIN 二极管驱动器电路

 

本例中，U2 和U3 采用同相配置，增益为4。利用AD8037 的独特输入箝位特性，可以实现极其干净和精确的箝位。它可以线性放大输入信号，最高可达增益乘以正负箝位电压（(V_CH 和 V_CL)。当增益为4 且箝位电压为±0.75 V 时，如果输入电压小于±0.75 V，则输出电压等于输入电压的4 倍；如果输入电压大于±0.75 V，则输出电压箝位在最大值±3 V。这一箝位特性使得过驱恢复非常快（典型值小于2 ns）。箝位电压(V_CH 和 V_CL) 由分压器 R2、R3、R7 和 R8 确定。

 

数字接口由74F86 XOR 逻辑门(U1) 实现，它提供U2 和U3 所用的驱动信号，两路互补输出之间的传播延迟偏斜极小。电阻网络R4、R5、R6 和R9 将TTL输出电平转换为大约±1.2 V，然后通过R10 和 R12馈送给 U2 和 U3。

 

U2 和 U3 的±1.2-V 输入提供 60% 过驱，以确保输出会进入箝位状态(4 ×0.75 V)。因此，硅PIN 二极管驱动器的输出电平设为±3 V。电阻 R16 和 R17 限制稳态电流。电容 C12 和C13 设置 PIN 二极管的尖峰电流。

 

AD8137 —差分放大器

 

差分放大器（本例所用的AD8137）可以低成本提供出色的高速开关性能，并使设计人员能够十分灵活地驱动各种类型的RF 负载。有各种各样的差分放大器³ 可供使用，包括速度更快、性能更高的一些器件。

 

高速差分放大器 AD8137⁴ 通常用于驱动 ADC，但也可以用作低成本、低功耗 PIN 二极管驱动器。其典型开关时间为 7 ns 至 11 ns，其中包括驱动器和 RF 负载的传播延迟。它提供互补输出，功能多样，可以替代昂贵的传统驱动器。

 

图 8 所示电路将单端TTL输入（0 V 至 3.5 V）转换为互补±3.5V 信号，同时可使传播延迟最小。TTL 信号放大 4 倍，在 AD8137 输出端产生所需的±3.5V 摆幅。TTL 信号的中点（或共模电压）为 1.75 V；必须将同样的电压施加于R₂，作为参考电压VREF，以免在放大器输出端引入共模失调误差。最好从一个低源阻抗驱动此点；任何串联阻抗都会增加到R₁ 上，从而影响放大器增益。

 

图8. PIN 二极管驱动器原理图

 

输出电压增益可由公式4 计算：

 

   (4)

 

为正确端接脉冲发生器的输入阻抗，使之为50 Ω，需要确定差分放大器电路的输入阻抗。这可以利用公式 5 计算，得出R_T = 51.55 Ω, 与之最接近的标准 1% 电阻值为 51.1 Ω。对于对称的输出摆幅，两个输入网络的阻抗必须相同。这意味着，反相输入阻抗必须将信号源的Thévenin 阻抗和端接电阻纳入增益设置电阻R₂。有关详情，请参阅应用笔记 AN-10265.

 

   (5)

 

图8 中， R₂ 约比R₁ 大20 Ω，以补偿源电阻R_S与端接电阻R_T的并联组合所引入的额外电阻(25 Ω)。将R₄ 设为1.02 kΩ（最接近1.025 kΩ的标准电阻值），以确保两个电阻比相等，避免引入共模误差。

 

输出电平转换很容易利用AD8137 的V_OCM引脚来实现，该引脚设置直流输出共模电平。本例中， V_OCM 引脚接地，以提供关于地的对称输出摆幅。

 

电阻R₅ 和 R₆ 设置稳态 PIN 二极管电流，如公式 6 所示。

 

   (6)

 

电容C5 和 C6 设置尖峰电流，该电流有助于注入和移除PIN 二极管中存储的电荷。可以根据特定二极管负载要求，调整这些电容的值，实现性能优化。尖峰电流可以由公式7 计算。

 

   (7)

 

ADA4858-3 —内置电荷泵的三通道运算放大器

 

许多应用只提供一个电源，这常常令电路设计人员感到为难，尤其是当需要在PIN 电路中提供低关断电容时。这种情况下，硅或 GaAs PIN 二极管驱动电路可以使用片上集成电荷泵的运算放大器，而不需要外部负电源；其好处是可以显著节省空间、功耗和预算。

 

高速电流反馈型三通道放大器ADA4858-36就是这样一种器件，它具有出色的特性，片上集成电荷泵，输出摆幅可以达到地电压以下–3 V 至 –1.8 V（具体取决于电源电压和负载）。该器件十分鲁棒，可以真正为其它电路提供最高50 mA 的负电源电流。

 

ADA4858-3 为单电源系统中的互补PIN 二极管微波开关驱动问题提供了一种独特的解决方案。回顾图 4，从中可以看出：即使很少量的反向偏置也有助于降低二极管电容 CT，具体取决于PIN 二极管的类型。此类驱动器对GaAs PIN 二极管很有利，因为这种二极管通常不需要很大的负偏置就能使关断电容(CT)保持较小的值（图 9）。

 

图9. GaAs CT电容与电压的关系

 

图10 所示电路用ADA4858-3 作为 PIN 二极管驱动器。可以在输入端增加一个缓冲门，使该电路兼容 TTL 或其它逻辑。对此电路的要求是将 TTL 0V 至 3.5V 输入信号摆幅转换为互补 –1.5V至 +3.5V摆幅，用于驱动 PIN 二极管。

 

图10. ADA4858-3 用作 PIN 二极管驱动器

 

R1、R2、R3 和 U1C 形成该电路的 –1.5V 基准电压，内部负电压CPO 由片内电荷泵产生。电容C3 和C4 是电荷泵工作所必需的。负基准电压随后通过分压器（R5 和 R9）与V_TTL 输入以无源方式合并。所产生的电压(V_RD)出现在U1B 的同相输入端。U1B 输出电压可以利用公式8 计算。

 

   (8)

 

其中：

 

   (9)

 

负基准电压也被馈送至放大器U1A，在其中与 TTL 输入合并，所得输出电压V2 可以利用公式10 计算。

 

   (10)

 

这些放大器采用电流反馈架构，因此必需注意反馈电阻的选择，反馈电阻对于放大器的稳定性和频率响应有着重要作用。对于本应用，反馈电阻设为 294 Ω，这是数据手册所推荐的值。输出电压V1 和V2 分别可以用公式8 和公式10 表示。输出尖峰电流量可以利用公式3 和电容C5、C6 上的电压确定。设置 PIN 二极管导通电阻的稳态电流由 R11 与 R12 上的电压差确定，并取决于 PIN 二极管曲线和系统要求。

 

对于本应用，RF 开关负载为 MASW210B-1 硅 PIN 二极管单刀双掷（SPDT）开关，用于微波下变频器的前端（图 11）。

 

图 11. 下变频器功能框图

 

开关输出波形和TTL输入信号如图12 所示。请注意，上升沿和下降沿非常陡峭。由于开关的开关时间要求相对较慢（约为50ns），因此本应用没有使用尖峰电容C5和C6。设置稳态二极管电流的电阻 R11 和 R12 均为 330 Ω。

 

图12. 显示 RF 开关速度的波形

 

图 13. 下变频器的频谱响应

 

图13 显示了下变频器前端的频谱响应；开关SW1 位于固定位置，以消除插入损耗。请注意，图中不存在谐波或边带，充分表明没有明显的 100 kHz 开关伪像从 ADA4858-3 片内电荷泵散出，这是在此类应用中使用这些器件的重要考虑因素。

 

结论

 

如以上三例所示，运算放大器可以创造性地用作传统放大器的替代方案，其性能与 PIN 二极管专用驱动 IC 相当。此外，运算放大器可以提供增益调整和输入控制功能，而且当使用内置电荷泵的运算放大器时，无需负电源，这就提高了PIN 二极管的驱动器和其它电路的设计灵活性。运算放大器易于使用和配置，可以相对轻松地解决复杂问题。

 

 

参考电路

 

Hiller, Gerald. Design with PIN Diodes. M/A-COM Application Note AG312.

 

Understanding RF/Microwave Solid State Switches and Their Applications. Agilent Application Note.

 

致谢

 

开关速度和频谱数据、RF 负载以及测试设备由美国新罕布什尔州哈德逊Sage Laboratories友情提供。首席技术官 Tony Cappello 为测试提供了便利，工程副总裁 David Duncan 提供了技术协助。

 

 

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