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RF/微波

高功率GaN RF放大器的热考虑因素

氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的...

2022-10-13

GaN RF放大器

Sallen-Key低通滤波器设计

本文讨论了 Sallen-Key 低通滤波器的设计。为了便于具体电路参数选择，采用了比率设计方案进行讨论，大大提高了电路参数的实现可能性。

2022-10-12

Sallen-Key 低通滤波器

如何使用AT32F407以太网通信接口实现在应用中编程(IAP)

在应用中编程(IAP)是一种在现场通过 MCU 通信接口（例如 USART、USB、CAN 和以太网）进行固件升级的方式。无论是IAP代码还是应用程序代码都位于微控制器的内置FLASH中，IAP代码通常存储在MCU FLASH的第一页，而用户应用程序代码则占据剩余的FLASH区域。

2022-10-10

AT32F407 以太网通信接口编程

如何使用多线程或多核设计数字音频系统

如果您的 MCU 应用程序需要处理数字音频，请考虑采用多线程方法。使用多线程设计方法使设计人员能够以直接的方式重用他们的设计部分。

2022-10-09

数字音频系统

射频通信接收机设计的主要结构

在一个射频通信系统中，噪声，尤其是信噪比（SNR），是无线接收机中的一个基本问题。高噪声电平会限制系统的容量、覆盖范围，以及许多对系统运营商和终端用户都有重大影响的相关特性。射频通信接收机是射频电路中比较重要的一部分，射它能在频信号经天线接收后，经过相关滤波器和放大器，将射频信号...

2022-10-08

射频通信接收机信噪比

带有分布式锁相环的相控阵的系统级LO相位噪声模型

对于数字波束成形相控阵，要生成LO，通常会考虑的实现方法是向分布于天线阵列中的一系列锁相环分配常用基准频率。对于这些分布式锁相环，目前文献中还没有充分记录用于评估组合相位噪声性能的方法。

2022-10-08

锁相环相控阵相位噪声

【未来可测】系列之二：忆阻器单元基础研究和性能研究测试方案

忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。

2022-09-29

忆阻器测试方案泰克

如何利用示波器实现指数时间常数测量

许多物理现象与电容器和电感器这类储能器件的充放电相关，将会产生具有指数上升沿或下降沿的波形，其中指数时间常数揭示了有关基本过程和元件值的信息。能够利用示波器测量指数时间常数，对更好地了解电路工作很有用。但是，示波器没有直接读出指数时间常数的测量参数。

2022-09-28

示波器

什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？

本文延续之前的一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术；我们将探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解。本文旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括："为应用选择合适的RF放大器指南"、"如何轻松选择合适的频率产生器件"和"RF解密–...

2022-09-28

RF 衰减器终端应用

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