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意法半导体、Soitec、CMP联合提供28纳米FD-SOI CMOS制程
意法半导体、 Soitec与CMP携手为大学院校、研究实验室和工业企业设计下一代系统级芯片并提供工程流片服务，可通过CMP的硅中介服务使用意法半导体的CMOS 28纳米全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）制程进行工程流片。
2012-10-24
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TE推出新型0.4mm间距0.98mm高度的板对板连接器
TE最近发布了一款新型0.4毫米细间距、高度为0.98毫米的板对板连接器，可以提供更大的取放空间。该款产品可优化日益小型化的电子产品的连接，进而降低生产成本，提高装配效率，有利优化生产。
2012-10-24
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封装面积减小4成，支持LTE的RF模块
村田制作所开发出用于LTE智能手机的小型RF收发模块，封装面积减小4成，其采用该公司的元件内置技术，使用树脂基板而非陶瓷基板实现了模块，该模块集成了LTE收发信息所需要的RF收发器IC、功率放大器及前端模块等，RF电路部分的定位是“全模块”。
2012-10-24
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可支持15种频带的FBAR滤波器
安华高此前的FBAR滤波器支持5种频带，但世界各地的LTE服务使用了多种频带，因此此次扩大了支持的频带数量。此次增加了对700MHz频带、900MHz频带及2.6GHz频带等15种频带的支持。安华高表示，这一举措使该公司的FBAR滤波器得到了大量智能手机的采用。
2012-10-24
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TE推出单模光纤现场快速安装连接器F-Light
在日益更新的FTTx的网络中，设备的开通、配置和升级复杂;设备种类和网元数量增多，后续管理维护复杂。从中心机房到ONU客户终端，运营商需要更灵活、更高效率、更方便的接入。TE的F-Light连接器能为运营商提供高效的安装和使用灵活性。
2012-10-23
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适用于电池或标准 3.3V 和 5V 电源的DC/DC 转换器 LTC3122
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具集成输出断接功能的 3MHz 电流模式、同步升压型 DC/DC 转换器 LTC3122。其内部 2.5A 开关在启动时的 1.8V (运行时为 0.5V) 至 5.5V 输入电压范围内提供高达 15V 的输出电压，从而使该器件非常适用于电池或标准 3.3V 和 5V 电源。
2012-10-23
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可支持300MHz到2.8GHz的频段的LTE收发器
随著无线宽频的需求日渐扩大，全球电信服务业者也加速将第四代的LTE高速无线通讯标准导入手机与数据卡终端设备。Aviacomm发表最新LTE智能型射频收发器，可支持300MHz到2.8GHz的频段，不仅在功能上取代多芯片的集成方案，在系统设计上，也简化工程开发时间。
2012-10-23
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泰科电子新出九款低电阻电路保护元件
泰科电子（TE Connectivity）旗下的业务部门TE电路保护部宣佈推出九款全新且是为空间有限的行动应用所设计的低电阻 （Low rho）表面黏着器件（surface-mount device， SMD）系列电路保护元件。
2012-10-23
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TE推出用于便携消费类电子产品的电路保护器件
TE推出用于平板电脑和其它便携消费类电子产品的PolyZen CE (消费类电子)系列电路保护器件,适用于空间狭小的薄型紧凑型环境，保护齐纳二极管和下游电子组件避免损坏。
2012-10-23
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TE应对严酷环境而推出的“塑料盒”封装器件
TE全新的LVB125器件，采用了一种独特的“塑料盒”封装，可为在装配方式中使用了化合物灌封或密封化合物的产品提供可复位电路保护，可包括严酷环境应用中的电源、变压器、工业控制器和发动机。
2012-10-23
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TE发布多种SESD器件
TE发布一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电(SESD)保护器件，可提供市场上最低的电容、最高的ESD保护和最小尺寸封装，可帮助免受由静电放电、浪涌和电缆放电所引起的损坏。
2012-10-23
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TI推出降低散热达30℃的新降压升压转换器
最新 4G 手机具有更高的数据上载需求，要求对各种应用程序实现“实时”开启或关闭，这需要更高的射频功率放大器输出水平，使LTE即便在较低的电池电压下也能工作。TI推出新降压升压转换器，将流耗锐降50%并降低放大器散热达30摄氏度。
2012-10-23
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