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智能功率器件
本文以英飞凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20为例，详细解释了灯泡在冲击电流的物理模型，进而给出了如何在设计中计算冲击电流下验证器件的安全。
2011-02-28
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小电流可控硅固体开关的研制
本文通过脉冲变压器隔离控制28个串联可控硅（TYNl225），得到了20kV小电流开关，对固体开关的串联技术进行了试验研究，并讨论了串联电路所涉及到的触发信号的高压隔离技术、驱动信号同步技术以及功率器件的动态静态均压技术。
2011-01-25
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2011年LED照明市场与技术概览
电子元件技术网揭示LED市场热点，发布有关技术和市场的独到的见解，分析新的一年中市场和产品趋势。本期半月谈将聚焦于与LED照明相关的功率器件、驱动IC、电源模块、热管理技术、连接器和电路保护器件，以及与他们相关的新的市场机遇。
2011-01-17
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NEULAND项目将开发能耗减半的新型半导体材料
——主要面向可再生能源、电信和照明系统为此，德国半导体和太阳能行业的6家合作伙伴携手开展了NEULAND项目。该项目由德国联邦教育与研究部（BMBF）资助，旨在开辟可再生能源电力高效利用的新途径。NEULAND代表具备高能效和成本效益、基于宽带隙化合物半导体的创新功率器件。该项目旨在系统成本不大幅提高的前提下，将可再生能源电力并网损耗降低50%，例如光伏逆变器。这将有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）的创新半导体器件实现。
2011-01-05
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Z-Rec™650V：Cree推出碳化硅肖特基二极管满足数据中心电源系统要求
碳化硅功率器件领域的市场领先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。
2010-12-21
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新型材料的电力电子器件：碳化硅功率器件
碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。SIC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车等设备的节能具有重要意义。采用SIC的新器件将在今后5～10年内出现，并将对半导体材料产生革命性的影响。
2010-12-16
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Mouser Electronics与 Powercast公司签署全球分销协议
Mouser Electronics，以其快速导入最新电子元器件与技术而知名。近日宣布与Powercast 公司签署全球分销协议。Powercast是在对微功率器件进行远程无线电力传输方面具有突破性贡献的创新企业。
2010-11-15
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RTP200R120SA：泰科电子推出可回流焊热保护器件用于汽车电子
泰科电子推出业界首款可回流焊热保护(RTP)器件，帮助节省电路板空间和组装时间，坚固耐用的表面贴装RTP器件帮助保护汽车和工业应用中的功率器件免受过热事件造成的损坏...
2010-11-15
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无锡“530计划”企业集中展示物联网解决方案
素有“小上海”之称的历史名城无锡，近年来在中国电子产业版图上崛起迅速，与百公里外的“大上海”遥相辉映，昔日的“鱼米之乡”，如今更成电子产业重镇。参加第76届中国电子展（ CEF）的无锡展商已成集群化、规模化、前沿化趋势，涉及领域既有半导体芯片、功率器件、测试测量等传统行业，又有无线通信、智能家居与安防、物联网、RFID等热门产业。
2010-11-04
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IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
本文主要通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论，介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用。
2010-11-03
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大量无锡厂商参加中国电子展
参加第76届中国电子展（www.iCEF.com.cn）的无锡展商已成集群化、规模化、前沿化趋势，涉及领域既有半导体芯片、功率器件、测试测量等传统行业，又有无线通信、智能家居与安防、物联网、RFID等热门产业。
2010-11-01
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“小上海”电子产业兴起 大量无锡厂商参加中国电子展
参加第76届中国电子展的无锡展商已成集群化、规模化、前沿化趋势，涉及领域既有半导体芯片、功率器件、测试测量等传统行业，又有无线通信、智能家居与安防、物联网、RFID等热门产业。
2010-10-29
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