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创实技术electronica 2024首秀：加速国内分销商海外拓展之路
作为全球规模最大、最具影响力的电子元器件展会，备受瞩目的2024德国慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德国·慕尼黑展览中心盛大举行。科技日新月异，电子元器件作为信息技术的基石，正再一次引领全球半导体产业的新一轮变革。时隔2年之久，叠加全球科技和经济大变局，展示面积近17,000平方米的electronica 2024，吸引了来自超50个国家和地区的3,000多家参展厂商齐聚，成为史上规模之最。
2024-11-26
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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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意法半导体披露 2027-2028 年财务模型及2030年目标实现路径
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 于前天在法国巴黎举办了资本市场日活动。在公司战略保持不变的框架内，意法半导体重申了200亿+美元的营收目标和相关财务模型，预计将在 2030 年实现这一目标。意法半导体还制定了一个中期财务模型，预计2027-2028年营收约为180 亿美元，营业利润率在 22% 至 24% 之间。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估
随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域，功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作，这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。同时，随着SiC等宽禁带半导体材料的兴起，功率器件的性能得到了显著提升，但同时也带来了新的测试需求。如何在保证测试效率的同时，准确评估这些先进功率器件的性能和寿命，成为了行业发展的关键。
2024-11-23
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
2024-11-19
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韧性与创新并存，2024 IIC创实技术再获奖分享供应链挑战下的自我成长
11月5日-6日，由全球电子行业知名媒体AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田会展中心7号馆圆满落幕。作为业界颇具影响力的系统设计峰会，IIC Shenzhen 2024再次为半导体产业搭建了一个专业的交流平台，聚集国内外电子产业领袖、管理人员、设计精英及决策者，聚焦重大前沿新兴技术及产品、市场应用以及供应链发展变迁和趋势，以此助推产业的创新稳健发展。
2024-11-19
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贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书探讨电子设计中的电源效率与稳健性
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 联手推出一本新电子书，重点介绍优化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未来的供电：兼顾效率与稳健性的先进电源解决方案）这本电子书中，ADI和贸泽的主题专家对电源系统中的重要组件、架构和应用进行了深入分析。
2024-11-15
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兆易创新MCU新品重磅揭幕，以多元产品和方案深度解锁工业应用场景
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）今日在上海举办了以“勇跃•芯征程”为主题的新品发布会，来自工业和数字能源等领域的行业伙伴齐聚一堂，共襄盛举。本发布会中，兆易创新展现了其在工业自动化、数字能源等领域的最新成果，不仅重磅揭幕了两款MCU新品——EtherCAT®从站控制芯片和GD32G5系列Cortex®-M33内核的高性能MCU，还同步推出一系列搭载全新MCU产品的电机控制和数字能源方案。与此同时，众多合作伙伴也于发布会首次推出基于GD32 MCU的创新解决方案。这不仅彰显了兆易创新在工业及数字能源领域的持续关注与坚定承诺，也体现出公司与行业伙伴之间紧密的合作关系和坚实的市场基础。
2024-11-14
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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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采用能量收集技术为嵌入式系统设计永续供电
许多无法连接市电的嵌入式系统通常会采用电池供电，但当电池电量用完时，更换电池的维护成本相对较高，并造成相当多的困扰，若能通过能量收集技术来为系统永续供电，便可解决这个问题。本文将为您介绍如何利用能量收集技术来建立永久运行的嵌入式系统，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相关解决方案。
2024-11-12
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宜普电源转换公司胜诉，美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权
宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下简称宜普公司）今日宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。该相关专利对人工智能、卫星、快速充电器、仿人机器人、自动驾驶以及其他许多技术的发展均至关重要。美国国际贸易委员会决定禁止英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下简称英诺赛科）在未获宜普公司授权的情况下将相关氮化镓产品进口至美国。
2024-11-11
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