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高频率、高输入电压DC/DC转换器的设计挑战
DC/DC转换器的设计频率越来越快，目的是减小输出电容和电感的尺寸，以节省电路板空间。正因如此，现在市场上出现越来越多工作在高输入电压下的DC/DC转换器，其可提供线压瞬态保护，更低的占空比使更快频率下难以达到更低的电压。许多电源集成电路制造厂商（IC）正在积极推销高频DC/DC转换器，声称可以减少电路板空间占用。工作在1MHz或者2MHz下的DC/DC转换器似乎是一个好主意，但开关频率对电源系统产生的影响远不止体积和效率两方面。本文介绍了几个设计实例，说明在高频下开关存在的一些好处和挑战。
2012-07-02
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优化超快的PFC二极管可获得最大工作效率
通过提供有关功耗可能的最佳正向电压和反向恢复时间， 并与软恢复性能相结合，适用于PFC应用的NXPSemiconductors BYV29FD-600增强型超快功率二极管可在开关模式电源(SMPS) 中提高效率。这些600V元件适合与交错式转换器拓扑和双模式PFC电路配合使用。
2012-06-25
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优化耳麦音频新选择:TI耳麦音频检测及配置开关 IC
对于如何进一步优化耳麦音频体验，智能手机和平板电脑有了新的选择。日前TI推出支持一般耳麦音频应用的最新耳麦音频检测及配置开关IC， 在单一组件中集成自动检测与开关功能，避免终端设备因采用分立组件造成的检测、漏电与杂音问题，极适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、音频基座（audio docks）以及家庭音频应用等终端设备。
2012-06-21
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英飞凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 开关损耗大幅降低
英飞凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，与IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。
2012-06-21
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飞兆半导体开发FPS™绿色模式功率开关器件
开关电源(Switch mode power supply, SMPS)设计人员需要节省空间的高成本效益电源解决方案，具有高能量效率，优化的系统性能和更高的可靠性。为了帮助应对这些设计复杂性挑战，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FSL206MRx集成式脉宽调制器(PWM)控制器。
2012-06-19
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Ripple Blocker™ 技术-电子产品安静时也能工作得更好
Micrel Semiconductor MIC94300 集成的负载开关和 MIC94310 DC/DC 低压降稳压器采用了 Micrel的 Ripple Blocker™ 有源过滤技术，为敏感的下游电路不能忍受开关噪音的应用提供高频纹波衰减（开关噪音抑制）。
2012-06-18
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET一体化封装 可替代Si-IGBT
罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，与Si-IGBT相比，工作损耗降低了70％，达到50kHz以上的开关频率
2012-06-18
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IR新型25V DirectFET芯片组，大幅提升DC-DC开关效率
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出 IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组，为 12V输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
2012-06-14
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成熟技术？Future专家解答关于照明控制网络中RF和电力线通信的疑问
电子设备是如今市场上推出的几乎每个光源或灯具的组成部分。 电源管理、开关和调光控制、混色、系统监控以及用户界面中都使用电子电路。 电子镇流器中也使用数字和模拟集成电路，这些镇流器用于高强度放电灯、节能灯、LED 照明、白炽灯调光器和控制设备。
2012-06-13
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KEMET新款高容积率端子朝下T428系列钽二氧化锰电容
KEMET发布新款高容积率（HVE）端子朝下T428系列钽二氧化锰电容。这些表面贴装元件提供更好的功率耗散能力和更强的纹波电流承受能力。适合应用于电脑、工业/照明、通信、国防和航空领域，尤其是高可靠性应用，如雷达和开关电源的去藕和滤波。
2012-06-08
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NXP全新汽车级功率MOSFET采用Trench 6技术具出色可靠性
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻（RDSon）、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证，成功通过了175℃高温下超过1,600小时的延长寿命测试（性能远超Q101标准要求），同时具有极低PPM水平。
2012-06-07
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GDT气体放电管提供高水准浪涌保护
TE Connectivity电路保护GDT(气体放电管)并联在电源线、电 信线、信号线和数据传输线等敏感通讯设备的前端，进而保护它们免受因闪电和设备开关操作引起的瞬间浪涌电压的破坏。正常情况下，这些器件并不会影响信号的正常工作。在过压情况下，GDT可转换到低阻状态，使能量离开敏感的设备。
2012-06-06
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
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