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通信用高频开关电源技术
通信用高频开关电源技术的发展基本上可以体现在几个方面：变换器拓扑、建模与仿真、数字化控制及磁集成。软开关技术、功率因数校正技术及多电平技术是近年来变换器拓扑方面的热点。采用软开关技术可以有效的降低开关损耗和开关应力，有助于变换器效率的提高;采用PFC技术可以提高AC/DC变换器的输入功率因数，减少对电网的谐波污染;而多电平技术主要应用在通信电源三相输入变换器中，可以有效降低开关管的电压应力。
2012-03-02
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电源管理的开关频率与电磁干扰之间的适当平衡
好的功率转换器除了要有较高的开关频率之外，也要顾及系统的转换效率及电磁干扰。各方面都要兼顾，力求取得适当的平衡。开关频率越高，电源开关、整流器及控制电路的开关损耗便会越高。
2012-03-02
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基于PFC的离线式开关电源设计
离线式开关电源通常应用整流桥和输入滤波电容从输入吸收能量，大电容在接近交流输入峰值处充电以给为逆变提供能量的未经调整的BUS提供能量。电容的容量必须足够大，当整流后半期内线电压低于BUS电压时，仅由它向后续提供能量。
2012-03-02
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TEFD4300/TEFD4300F：Vishay推出高速PIN光电二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时间的高速硅PIN光电二极管---TEFD4300和TEFD4300F，二极管采用透明和黑色树脂T1塑料封装，扩大了Vishay的光电子产品组合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透镜，具有高达17µA的反向光电流和±20°的半灵敏度角。
2012-03-01
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LDO的基本原理、选用原则及应用
本文介绍了低压差线性稳压器(LDO)的基本原理及选用原则，并将其应用于开关电源设计之中。这种设计方案简化了开关电源的多路输出设计，减小了负载调整率，有效地抑制了电磁干扰(EMI)，并加强了开关电源的过流保护功能。
2012-02-29
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NXP GreenChip电源IC确立低负载下效率和空载待机功耗标准
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip™ SPR TEA1716开关模式电源 (SMPS) 控制器IC——这是业界首款PFC和LLC谐振组合控制器，可在低负载下实现超低待机功耗，并且符合将于2013年生效的欧盟生态设计指令的要求。公司同时宣布推出多款采用超小封装的高性价比SPF (反激式智能电源) IC，包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品，这些器件均具有出色的空载性能。此外，恩智浦还推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900电源切换RF开关
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP开关。第三代信息和信号技术需要新的接收RF（射频）信号的电路开关。GSM（全球移动通信系统）是蜂窝网络使用最广泛的频率范围。有了HFP，TE可直接满足GSM850/900应用中从824到960MHz频段的电源切换RF开关的需求。
2012-02-24
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具有能量回馈功能的级联型高压变频器的仿真研究
一般的级联型高压变频器的整流部分都是采用不可控的二极管，因而能量传输不可逆，当电机处于再生发电状态时，回馈的能量传输到直流母线电容上，产生泵升电压，使电容电压不稳。过高的泵升电压有可能损坏开关器件，从而威胁变频器的安全工作。
2012-02-24
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多模式开关电源控制芯片的低功耗设计与实现
开关电源的效率与功耗已成为设计师关注的焦点，而多模式控制已经成为电源控制芯片中高效率低功耗设计的主流趋势。
2012-02-24
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μPA2812T1L：瑞萨发布低损耗高效P沟道MOSFET用于笔记本电脑
先进半导体解决方案之顶尖供应商瑞萨电子宣布推出5款低损耗P-Channel金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)系列产品，包括针对笔记型电脑锂离子二次电池之充电控制开关，以及AC变压器电源供应开关之电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。
2012-02-23
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高频MOS驱动电路仿真波形实验波
开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点,应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。
2012-02-22
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同步升压转换器设计中MOSFET的选择要素分析
在个人计算机应用领域，随着为核心DC-DC转换器开发的同步升压转换器的开关频率向着1MHz-2MHz范围转移，MOSFET的损耗进一步增加。如果考虑其它支配损耗机制的参数，如电源输入电压和门极电压，就要处理更为复杂的现象，还会遇到可能造成损耗极大恶化并降低电源转换效率(ξ)的二次效应，及体二极管反向恢复造成的损耗。本文将详细地讨论所有这些效应并演示如何作出选择。
2012-02-22
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