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HFP：TE的推出用于GSM850/900电源切换RF开关
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP开关。第三代信息和信号技术需要新的接收RF（射频）信号的电路开关。GSM（全球移动通信系统）是蜂窝网络使用最广泛的频率范围。有了HFP，TE可直接满足GSM850/900应用中从824到960MHz频段的电源切换RF开关的需求。
2012-02-24
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具有能量回馈功能的级联型高压变频器的仿真研究
一般的级联型高压变频器的整流部分都是采用不可控的二极管，因而能量传输不可逆，当电机处于再生发电状态时，回馈的能量传输到直流母线电容上，产生泵升电压，使电容电压不稳。过高的泵升电压有可能损坏开关器件，从而威胁变频器的安全工作。
2012-02-24
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多模式开关电源控制芯片的低功耗设计与实现
开关电源的效率与功耗已成为设计师关注的焦点，而多模式控制已经成为电源控制芯片中高效率低功耗设计的主流趋势。
2012-02-24
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μPA2812T1L：瑞萨发布低损耗高效P沟道MOSFET用于笔记本电脑
先进半导体解决方案之顶尖供应商瑞萨电子宣布推出5款低损耗P-Channel金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)系列产品，包括针对笔记型电脑锂离子二次电池之充电控制开关，以及AC变压器电源供应开关之电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。
2012-02-23
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高频MOS驱动电路仿真波形实验波
开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点,应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。
2012-02-22
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同步升压转换器设计中MOSFET的选择要素分析
在个人计算机应用领域，随着为核心DC-DC转换器开发的同步升压转换器的开关频率向着1MHz-2MHz范围转移，MOSFET的损耗进一步增加。如果考虑其它支配损耗机制的参数，如电源输入电压和门极电压，就要处理更为复杂的现象，还会遇到可能造成损耗极大恶化并降低电源转换效率(ξ)的二次效应，及体二极管反向恢复造成的损耗。本文将详细地讨论所有这些效应并演示如何作出选择。
2012-02-22
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热敏电阻抑制浪涌电流设计
对需要频繁开关的应用，必须增加继电器旁路电路以保证NTC热敏电阻能完全冷却恢复到初始状态。在NTC热敏电阻选型上，要根据最大额定电压和滤波电容值选定产品系列，根据产品允许的最大启动电流值和长时间加载在NTC热敏电阻上的工作电流来选择NTC热敏电阻的阻值，同时要考虑工作环境的温度，适当进行降额设计。
2012-02-21
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基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、快开关损耗、承受短路电流能力及du/dt等参数，并决定了IGBT静态与动态特性。因此设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术。
2012-02-21
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高压变频器的散热与通风设计
高压变频器在正常工作时，热量来源主要是隔离变压器、电抗器、功率单元、控制系统等，其中作为主电路电子开关的功率器件的散热、功率单元的散热设计、及功率柜的散热与通风设计最为重要。
2012-02-21
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新颖的Buck-Boost型正弦交流稳压器
由于我国交流电网的电压波动较大，特别是边远农村地区，交流稳压电源已成为许多电子设备不可缺少的供电装置[1]。按照工作原理，交流稳压电源可分为参数调整（谐振）型[2]、自耦（变比）调整型[3]、大功率补偿型[4、5]和开关型[6、7]等四种类型，其典型电路如图1所示。
2012-02-20
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开关电源设计的噪声降低法
开关电源的特征就是产生强电磁噪声，若不加严格控制，将产生极大的干扰。下面介绍的技术有助于降低开关电源噪声，能用于高灵敏度的模拟电路。
2012-02-20
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电流型控制原理及特点分析
电流型脉宽调制(PWM)控制器是在普通电压反馈PWM 控制环内部增加了电流反馈的控制环节,因而除了包含电压型PWM 控制器的功能外,还能检测开关电流或电感电流,实现电压电流的双环控制。
2012-02-20
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