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GSM/DCS双频段RF射频前端设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能，锐迪科的RDA6218就是采用这种结构。射频功率放大器管芯由原来的两个减少为一个，同时此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块，组成 GSM/DCS双频段射频前端模块。
2011-10-05
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“element14专题”带来创新系列机电产品
首个融合电子商务与在线社区的电子元件分销商e络盟母公司element14近日宣布最新版本的element14专题（element14 Features）将重点关注三大类机电产品，包括开关、继电器与保险丝，连接器、电缆与电缆附件，以及风扇与外壳。设计工程师和维修维护专业人士可以通过element14获得与这三大类产品相关的14,000余种产品及相关资源。
2011-10-04
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正确选择MOSFET四大要素
作为电气系统中的基本部件，MOSFET需要工程师深入了解其关键特性及指标，以做出正确选型。本文讲述正确选择MOSFET的方法，包括确定N/P沟道、确定额定电流、确定热要求、决定开关性能四大步骤，根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
2011-10-04
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开关电源设计详解【图】
开关电源某些参数做得不好会造成EMC难过关、待机功耗大、效率不高。如何减小开关电源的待机功耗、提高开关电源的效率是全球电源行业共同关注的问题。本文配图讲述绿色开关电源设计要点。
2011-10-04
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耦合电感 SEPIC 转换器的优势
单端初级电感转换器 (SEPIC) 能够通过一个大于或者小于调节输出电压的输入电压工作。除能够起到一个降压及升压转换器的作用以外，SEPIC 还具有最少的有源组件、一个简易控制器和钳位开关波形，从而提供低噪声运行。看是否使用两个磁绕组，是我们识别 SEPIC 的一般方法。
2011-09-30
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交叉级联正激式同步整流拓朴的实现
利用现代电力电子技术，控制功率变换装置中功率开关晶体管导通和关断的时间比率，实现输入和输出形态转变的电路模式都称为开关型变换器电路。
2011-09-30
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开关电源变压器屏蔽层抑制共模EMI
本文以反激式开关电源为例，在分析其高频变压器形成共模传导EMI 机理的基础上，探讨了在变压器设计中设置屏蔽层以抑制共模传导EMI 的原理。给出了具体的设计方法，并应用于具体产品的设计中。测试表明，屏蔽层的设置可有效抑制高频开关电源的共模传导EMI。
2011-09-30
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第五讲：应用于汽车照明的LED驱动器方案
随着LED性能不断提升及成本不断下降，在汽车内部及外部照明中的应用领域越来越宽。不同应用对LED电流的要求又各不相同，故需要结合具体应用要求，选择适合的LED驱动器方案，如线性恒流稳流器、线性稳压器或开关稳压器等。本文介绍几种应用比较广泛的LED驱动器及具体方案，供设计人员在进行汽车照明设计时参考。
2011-09-30
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D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
利用MOS管的开关特性，可使整个射频功率放大器工作在开关状态，从而提高整机效率，改善技术性能，同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围，有利于设备的稳定运行。本文对D类MOS管在广播发射机射频功放电路中的应用进行了探讨。
2011-09-28
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高频开关变换器中EMI产生的机理及其抑制方法
开关电源具有体积小、重量轻、效率高等特点，广泛用于通信、自动控制、家用电器、计算机等电子设备中。但是，其缺点是开关电源在高频条件下工作，产生非常强的电磁干扰（Electromagnetic Interference,EMI），经传导和辐射会污染周围电磁环境，对电子设备造成影响。本文从开关电源的电路结构、器件进行分析，探讨了电磁干扰产生的机理及其抑制方法。
2011-09-27
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基于IGBT的固态脉冲调制器设计
随着电力电子技术的快速发展，新型功率开关器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)迅速占领了市场，满足了人们把大功率、超高频率开关元件实现固态化的期望，有着完全取代电真空管的趋势。这也为在雷达发射机脉冲调制器中采用IGBT作为开关管以替代电真空管奠定了理论和实践基础。
2011-09-26
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大屏幕彩电开关电源的高频有源功率因数校正
本文讨论功率因数问题及其校正的基本原理，分析大屏幕彩电开关电源的功率因数，并给出校正电路的设计方案及试验结果。为了提高大屏幕彩电的节电性能， 在设计中我们采用了高频有源PFC 技术， 提高了PF 特性。
2011-09-23
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