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单相桥式PWM逆变器死区补偿的一种方法
桥式PWM逆变器中，为了防止同桥臂开关器件直通，需要在其互补驱动信号中设置死区，但同时会导致输出电压基波幅值降低并产生低次谐波等。为改善输出电压波形，可采取多种方法，相关资料也介绍了死区补偿的方法，但未能采用图文形象、直观的介绍死区补偿的过程，而采用纯数学推理和文字说明较抽象，不易理解。本文详细介绍了一种死区补偿的方法。
2011-08-23
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安森美推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET®功率MOSFET
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET® 功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。
2011-08-22
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开关电源监控系统的设计与应用
近几年来，开关电源技术得到了迅猛发展，对开关电源的智能化要求也越来越高。开关电源监控系统作为实现开关电源系统智能化要求的一部分，也越来越得到广泛的应用。开关电源监控系统的主要功能是通过电源与计算机的通信模块完成与监控中心的信息交换，接收监控中心的各种监测与遥控命令，并将电源的各种状态信息反馈给监控中心。
2011-08-20
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基于软开关的电子辐照高压电源设计
在食品加工过程中采用电子辐照技术，可以提高食品的安全性。加速管作为离子束加速器件，在电子辐照工程装置中是关键设备。为了满足不同辐照物体的辐照计量要求，需要电子枪高压电源可以连续可调。本文介绍一种实用化的具有良好特性的电子枪直流高压电源的设计。
2011-08-19
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5个汽车电子系统LED驱动的应用案例
美国国家半导体的产品包含可实现多种拓扑结构的众多开关稳压器集成电路。此外，美国国家半导体专为LED应用开发了一系列集成电路，其中很多具有适合汽车电子系统应用的功能。本文将探讨几个汽车电子系统大灯驱动的应用示例。
2011-08-19
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第四讲：EMC/EMI之综合解决方案
电磁兼容主要包括电磁干扰（EMI）和电磁抗干扰(EMS)两方面，本讲将从探讨电磁干扰措施和电磁抗干扰技术的角度来介绍EMC/EMI的综合解决方案。具体内容包括结合实例探讨ESD防护解决方案；从电磁兼容三要素（干扰源、耦合通路和敏感体）入手分析，开关电源电磁干扰抑制措施；及汽车电子设备的电磁兼容设计案例。
2011-08-19
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开关电源测试方案
开关电源因其效率高，体积小而被电子企业广泛应用，以下是自己在工作中总结出来的测试方法和测试项目，在电源设计时若能充分考虑到这些方面，那么其产品将会被越来越多的客户所使用。
2011-08-18
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Buck电路开关电源纹波的抑制方法
开关电源具有效率高、输出电压可调范围大、损耗小、体积小、重量轻等特点，得到了广泛的应用。由于开关电源体积小，输出直流电压的纹波含量比同功率线性电源大，如何降低纹波含量成为开关电源应用及制造技术中的一个关键技术难点。本文通过对Buck电路的分析，找出对纹波的产生有影响的因素及改善的措施。
2011-08-17
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如何降低手机中D类放大器的EMI影响
D类放大器开关输出的拓扑结构带来了高频的EMI，如何控制好D类放大器的EMI，是系统工程师必须要考虑的方面。本文介绍手机D类放大器中EMI的产生及D类放大器EMI的改善措施。
2011-08-16
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Buck变换器的EMC分析
本文通过对Buck变换器电路的EMC分析，说明了电磁兼容中滤波、接地、缓冲以及合理的PCB设计等技术在开关电源中的应用。
2011-08-15
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共模电感基础知识与工作原理
共模电感 共模电感(Common mode Choke)，也叫共模扼流圈，常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中，共模电感也是起EMI滤波的作用，用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。 漏感和差模电感 对理想的电感模型而言，当线圈绕完后，所有磁通都集中在线圈的中心内。但通常情况下环形线圈不会绕满一周，或绕制不紧密，这样会引起磁通的泄漏。共模电感有两个绕组，其间有相当大的间隙，这样就会产生磁通泄漏，并形成差模电感。因此，共模电感一般也具有一定的差模干扰衰减能力。 在滤波器的设计中，我们也可以利用漏感。如在普通的滤波器中，仅安装一个共模电感，利用共模电感的漏感产生适量的差模电感，起到对差模电流的抑制作用。有时，还要人为增加共模扼流圈的漏电感，提高差模电感量，以达到更好的滤波效果。 共模电感工作原理 为什么共模电感能防EMI？要弄清楚这点，我们需要从共模电感的结构开始分析。 共模电感的滤波电路，La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同(绕制反向)。这样，当电路中的正常电流流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵
2011-08-15
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流容量，从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度。
2011-08-11
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