-
电动压缩机设计-SiC模块篇
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。
2024-09-27
-
贸泽电子任命宋金利为大中华区服务与销售副总裁
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布晋升宋金利Kingly Song先生为大中华区服务与销售副总裁。在这个新职位上，宋金利先生将负责领导贸泽电子在大中华区的服务与销售运营，致力于为工程师、采购人士和其他客户提供来自1,200多家品牌制造商的最新半导体和电子元器件。
2024-09-27
-
贸泽电子开售Arduino新款解决方案
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货全球开源硬件和软件知名供应商Arduino的新款产品及解决方案。Arduino产品从设计之初就旨在提供一个便捷的平台和生态系统来提升行业创造力和产品创新。Arduino解决方案弥补了工程领域的人才短缺，并通过强大的开源产品线摆脱了对个别供应商的依赖，支持IoT、自动化、工业4.0和边缘机器学习等各类应用。
2024-09-25
-
IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。
2024-09-25
-
贸泽推出全新一期EIT系列 探索可持续智能电网的技术创新
贸泽电子 (Mouser Electronics) 发布Empowering Innovation Together (共求创新，EIT) 计划全新一期技术内容，探讨将可再生能源纳入智能电网技术的好处，并重点介绍AI和5G在实现可持续电网管理中的作用。
2024-09-25
-
贸泽与Qorvo携手推出全新电子书探索智能家居的联网需求和所需的技术
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Qorvo合作推出全新电子书，详细探讨智能家居的联网需求以及用于支持这些需求的各种技术。
2024-09-21
-
贸泽电子、Silicon Labs和Arduino联手赞助2024 Matter挑战赛比赛现已开放报名
专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布将与Silicon Labs和Arduino合作赞助2024 Matter挑战赛。本次大赛不设技能门槛，任何技能水平的参赛者均可利用贸泽提供的Arduino Nano Matter开发板创建自己独树一帜的项目，为Silicon Labs社区以及其他社区提供设计灵感，大赛将持续到10月31日。
2024-09-21
-
授权代理商贸泽电子供应Toshiba多样化电子元器件和半导体产品
贸泽电子 (Mouser Electronics) 是Toshiba电子元器件和解决方案的全球授权代理商。贸泽有7000多种Toshiba产品开放订购，其中3000多种有现货库存，丰富多样的Toshiba产品组合可帮助买家和工程师开发满足市场需求的产品。
2024-09-18
-
关于蓝牙信道探测的简短设计教程
到目前为止，蓝牙 RSSI 依靠估算来确定位置，这会导致多路径和障碍物等问题。这反过来又会大大降低准确性。蓝牙信道探测通过将精度提高到亚米级来解决此问题。“蓝牙 SIG 采用信道探测显著提高了以前的蓝牙测距技术的精度，并鼓励了整个蓝牙设备生态系统的创新。”Nordic Semiconductor 短距离业务部执行副总裁 ?yvind Str?m 表示。
2024-09-16
-
第5讲：SiC的晶体缺陷
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。
2024-09-12
-
恩智浦结合超宽带安全测距与短程雷达，赋能自动化工业物联网应用
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，）近日发布Trimension® SR250，首款将片上处理能力与短程UWB雷达和安全测距集成于一体的单芯片解决方案。该产品可基于位置、存在或运动检测，为消费者或工业物联网应用带来了更广泛的新用户体验，是恩智浦在推动世界实现可预测和自动化方面的又一次飞跃。
2024-09-12
-
第4讲：SiC的物理特性
SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由于GaN是直接跃迁型半导体，少数载流子寿命较短，因此通过电导调制效应来实现低导通电阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- 物理AI蓄势待发，存储准备好了吗？
- “芯”荣誉｜喜获省级认证！镓未来获评2025年度“广东省工程技术研究中心”
- CITE2026公布八大关键词，解构2026电子信息行业发展新态势
- 进迭时空发布 K3 芯片 以 RISC-V 架构赋能智能计算新场景
- 意法半导体公布2025年第四季度及全年财报
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
