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可饱和电感特性及开关噪声抑制作用
可饱和电感是一种磁滞回线矩形比高、起始磁导率高、矫顽力小、具有明显磁饱和点的电感，在电子电路中常被当作可控延时开关元件来使用。本文介绍了可饱和电感的基本物理特性和可饱和电感的开关噪声抑制作用，重点分析了磁放大器稳压电路的工作原理...
2011-02-18
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开关电源EMI设计经验小结
开关电源的 EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
2011-02-18
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美研发新晶体管 开关频率提高1千倍
美国科学家使用世界上最纤薄的材料——石墨烯研制出一种晶体管，新晶体管拥有创纪录的开关性能，将开关频率提高了1000多倍，这使得其可以广泛应用于未来的电子设备和计算机中，使其功能更强，性能更优异。
2011-02-15
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VSLY5850：Vishay发布具有极高辐射强度的红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850，扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术，VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。
2011-02-14
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GTO的过电流保护
GTO主要应用于大容量的斩波器、逆变器及开关电路中，其中最引人关注的问题是由于各种原因造成的短路过电流现象;因此它严重地威胁着器件乃至整机设备的安全。为此，必须研究过电流产生的原因及如何在电流情况下采取措施保护GTO，使其免遭损坏。
2011-02-07
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优化高电压IGBT在高效率太阳能逆变器中的应用
多年来的调查和分析显示，IGBT比其他功率晶体管有更多优点，当中包括更高电流能力，利用电压而非电流来进行栅极控制，以及能够与一个超快速恢复二极管协同封装来加快关断速度。此外，工艺技术及器件结构的精细改进也使IGBT的开关性能得到相当的改善。其他优点还包括更好的通态性能，以及拥有高度耐用性和宽安全工作区。在考虑这些质量之后，这种功率逆变器设计就会选用高电压IGBT，作为功率开关的必然之选。
2011-02-06
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多槽矩阵开关
BRIC是一种高密度开关矩阵，能够占据4或8口的PXI的所有插槽。BRIC采用模块化结构，这样可以建立不同规模的矩阵，并且可以由用户自己定义X轴和Y轴上的节点数量。本文讲述多槽矩阵开关的组成与使用
2011-02-04
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“无线”功率开关
现在，电子化汽车设计的首要目标已经有所不同。虽然豪华设备和更好的驾驶功能对汽车来说仍然重要，但现在以至可见的未来，当代汽车所采用的大部分电子系统，也是以减少排放、提高燃料效率，并且降低车内系统的电力消耗为推动力。本文为你讲述“无线”功率开关
2011-01-31
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飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-27
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小电流可控硅固体开关的研制
本文通过脉冲变压器隔离控制28个串联可控硅（TYNl225），得到了20kV小电流开关，对固体开关的串联技术进行了试验研究，并讨论了串联电路所涉及到的触发信号的高压隔离技术、驱动信号同步技术以及功率器件的动态静态均压技术。
2011-01-25
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IGBT驱动与保护电路
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。本文基于EXB841设计IGBT的驱动电路如图2所示，包括外部负栅压成型电路、过流检测电路、虚假过流故障识别与驱动信号锁存电路，故障信息报警电路。
2011-01-24
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Elektron Technology推出MPI发光防破坏开关系列适用于电梯按钮
作为Arcolectric,、Bulgin 和 Sifam等国际电子制造品牌的拥有者，Elektron Technology日前宣布其旗下的Bulgin品牌推出一个全新的MPI发光防破坏开关系列。
2011-01-21
- 面板行业自律控产，1月电视面板价格全线上涨！
- AI需求引爆市场，DRAM价格连季狂飙，第二季度预计再涨20%
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