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Power Integrations供应Qspeed系列二极管用于功率因数校正电路
Power Integrations公司日前宣布可立即供应先进的Qspeed系列二极管。Qspeed二极管采用独特的硅基工艺,兼具一个极低的反向恢复电荷(Qrr)和一个极软恢复波形。这些先进特性能够帮助设计师优化其电源转换电路的效率和EMI性能。Qspeed二极管非常适用于连续导通模式(CCM)升压式功率因数校正(PFC)电路,并在硬开关应用中用作输出二极管。在PFC电路中,Qspeed二极管可以提供与碳化硅(SiC)二极管一样的整体开关性能,但成本更低。
2011-02-22
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具磁性执行器的射频遥控10无线电开关用于工业自动化
虽然射频遥控10“无线立方”方位开关仍然在市场上很新,事实已经证明了它的一些不同应用。事实上他们的共同点是开关设备被安装在了非常易于使用的位置。射频遥控10预先使用了这种类型是因为,第一,这是非常紧凑的,第二,它是非常耐用的,第三,它不需要电缆是因为由执行器触发的信号在到达接收设备上是通过无线传输的。
2011-02-22
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DG408:Vishay推出高可靠性模拟复用器应用于国防领域
日前,长期为军工和航天客户提供高可靠性分立IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出8通道单端模拟复用器高可靠性DG408,扩充其按照MIL-PRF-38535规范进行筛选的模拟开关和复用器系列。
2011-02-18
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可饱和电感特性及开关噪声抑制作用
可饱和电感是一种磁滞回线矩形比高、起始磁导率高、矫顽力小、具有明显磁饱和点的电感,在电子电路中常被当作可控延时开关元件来使用。本文介绍了可饱和电感的基本物理特性和可饱和电感的开关噪声抑制作用,重点分析了磁放大器稳压电路的工作原理...
2011-02-18
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开关电源EMI设计经验小结
开关电源的 EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
2011-02-18
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美研发新晶体管 开关频率提高1千倍
美国科学家使用世界上最纤薄的材料——石墨烯研制出一种晶体管,新晶体管拥有创纪录的开关性能,将开关频率提高了1000多倍,这使得其可以广泛应用于未来的电子设备和计算机中,使其功能更强,性能更优异。
2011-02-15
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VSLY5850:Vishay发布具有极高辐射强度的红外发射器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850,扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术,VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。
2011-02-14
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GTO的过电流保护
GTO主要应用于大容量的斩波器、逆变器及开关电路中,其中最引人关注的问题是由于各种原因造成的短路过电流现象;因此它严重地威胁着器件乃至整机设备的安全。为此,必须研究过电流产生的原因及如何在电流情况下采取措施保护GTO,使其免遭损坏。
2011-02-07
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优化高电压IGBT在高效率太阳能逆变器中的应用
多年来的调查和分析显示,IGBT比其他功率晶体管有更多优点,当中包括更高电流能力,利用电压而非电流来进行栅极控制,以及能够与一个超快速恢复二极管协同封装来加快关断速度。此外,工艺技术及器件结构的精细改进也使IGBT的开关性能得到相当的改善。其他优点还包括更好的通态性能,以及拥有高度耐用性和宽安全工作区。在考虑这些质量之后,这种功率逆变器设计就会选用高电压IGBT,作为功率开关的必然之选。
2011-02-06
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多槽矩阵开关
BRIC是一种高密度开关矩阵,能够占据4或8口的PXI的所有插槽。BRIC采用模块化结构,这样可以建立不同规模的矩阵,并且可以由用户自己定义X轴和Y轴上的节点数量。本文讲述多槽矩阵开关的组成与使用
2011-02-04
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“无线”功率开关
现在,电子化汽车设计的首要目标已经有所不同。虽然豪华设备和更好的驾驶功能对汽车来说仍然重要,但现在以至可见的未来,当代汽车所采用的大部分电子系统,也是以减少排放、提高燃料效率,并且降低车内系统的电力消耗为推动力。本文为你讲述“无线”功率开关
2011-01-31
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飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识,开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET,新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗,并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-27
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