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汽车多功能控制开关的设计应用
实际使用中，载货汽车电源电路及配件性能和技术方面存不足是显而易见。为此，本文介绍一种汽车多功能电子搭铁控制开关，成功解决了这些问题。
2010-03-22
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C＆K推出霍尔效应开关HP系列
C&K推出延长生命周期的霍尔效应开关HP系列，HP系列霍尔效应按钮开关提供生命周期达1000万次启动。该密封开关提供一个非接触式霍尔效应接触系统和高能量磁铁，为霍尔器件提供线性磁场……
2010-03-17
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。
2010-03-16
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。
2010-03-11
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Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列电源转换IC
由于采用全新的多周期调制模式，使得电源在空载条件下具有出色的轻载效率和低功耗，既可降低平均开关频率，又可减小输出纹波和音频噪声。因此，设计出的电源不仅可以轻松满足包括ENERGY STAR®和欧盟委员会用能产品生态设计指令在内的要求严格的最新能效规范，同时还可维持稳定的输出电压。使用TOPSwitch-JX可轻松实现264 VAC下的待机功耗低于100 mW（针对20 mW的负载）。
2010-03-11
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
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恩智浦半导体推出新一代高效率低VCEsat晶体管
这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型BISS-4产品表明，双极晶体管技术为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择。
2010-03-10
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MMBD5004BRM：Diode推出四开关二极管阵列
Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。
2010-03-09
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双开关正激转换器及其应用设计
与三次绕组和RCD钳位等常见变压器磁芯复位技术相比，双开关正激技术不需要特殊的复位电路，更易于实现，且保证可靠的磁芯复位，适用的功率等级比单开关正激技术更高。安森美半导体的NCP1252是一款增强型双开关正激转换器，具有可调节开关频率及跳周期模式，带闩锁过流保护等多种保护特性，适合计算机ATX电源、交流适配器、UC38xx替代及其它任何需要低待机能耗的应用。
2010-03-02
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Diodes推出能够容忍电话线瞬变的高压二极管阵列
Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。
2010-03-01
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利用耦合线圈拓扑改善双相buck转换器的性能
交错工作的多相转换器或同步整流buck转换器通常用于微处理器供电，实际应用中这些电路会在电感中引入较大的纹波电流，使转换器产生相当大的开关损耗。为了降低开关损耗，可以在多相转换器中使用耦合线圈拓扑，耦合线圈在不增加输出电压纹波的前提下减少相的波动，从而提高电源效率。此外，耦合线圈拓扑结合低漏电电感，有助于提高转换器的瞬态响应。
2010-02-23
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电机控制用多输出开关电源设计
本文介绍了一种基于专用芯片UC3842的开关稳压电源。在电机调速控制器中，该电源提供功率开关元件基极(栅极)驱动电压和控制电路工作电压。开关电源性能的好坏直接影响到电机调速控制器的工作可靠性。该电源是为30 kW开关磁阻电机控制器设计的，也适用于采用功率MOSFET或IGBT作为开关元件的中小功率感应电机调速控制器。
2010-02-23
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