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如何测量开关模式电源 (SMPS) 中的噪声
MOSFET 的开关动作产生交替周期，其中电流首先流入电感器，然后电感器放电。这会导致大的 dI/dt 和大的电压尖峰。我们期待这种噪音。问题是 LC 滤波器在防止这些大电压尖峰传输到电路的其余部分方面有多有效。
2023-05-08
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ADC参数如何以及为何变化的四个影响因素
影响ADC性能的第一个挑战是集成。MCU将紧挨着设计完美的ADC。快速开关MCU会将开关噪声和接地反弹引入ADC电路。向任何有经验的模拟设计师询问影响板级模拟性能的电路布局问题，他会告诉你任何莎士比亚戏剧相媲美的悲剧故事。现在想象一下，电路板尺寸减小到IC的面积，问题变得难以解决。时钟同步和管理技术可用于将这些影响降至最低，但外设和异步事件的相互作用仍会影响ADC性能。
2023-05-08
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使用模拟乘法器的同步解调与基于开关的乘法器
在之前的文章中，我们了解了同步解调技术的基础知识。该技术有助于测量隐藏在闪烁噪声中的低频信号。它试图以比电路的 1/f 拐角频率高得多的频率运行电路，以便闪烁噪声不再是限制因素。
2023-05-06
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电感饱和与开关电源之间的密切关系，这篇文章讲透了！（下）
在上篇文章中，我们利用R&S的测试仪器搭建出了一套测试系统，使用不同的电感器测量功率变换器的纹波电流和开关频率，通过实验验证了各种数学算法的可行性。
2023-05-05
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什么是宽禁带半导体？
禁带宽度和电场强度越高，器件越不容易被击穿，耐压可以更高；热导率和熔点越高，器件越容易散热，也更容易耐高温；电子迁移率越高，器件的开关速度也就越快，因此可以做高频器件。不难看出，SiC和GaN器件在高温、高压、高频应用领域的显著优势。
2023-05-05
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巧用MOS管的体二极管
用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。
2023-05-04
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电源中的升压转换器波形
可调式直流电源一般配有开关转换器，用于提供稳定的输出电压，并带有明显的纹波。如果将开关转换器集成到 PCB 上，那么输出中就会包含一些开关噪声。电源中有几个部分很难在板载升压转换器中实现，在示波器上查看波形时，输出中的噪声可能会非常强烈。
2023-04-29
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快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT
紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正(PFC)是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。
2023-04-28
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可控硅工作解析
可控硅又叫晶闸管，和其它半导体器件一样，具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。可控硅作为非常成熟的半导体器件，从弱电到强调，消费电子到工业等都得到广泛应用，可以作为整流、无触点电路开关以及逆变应用等，本章重点对于其结构以及等效电路展开分析，有助于读者加深对于可控硅产品的了解与认知。
2023-04-25
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电力场效应管的结构和工作原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保护设计
随着汽车功能的丰富，USB2.0/3.0、电源输入口、按键、SD卡槽等被广泛应用。由于以下几点，ESD、突入电流、抛负载以及负载短路等成为了硬件设计人员关注要点。例如，干燥季节，静电通过这些接口破坏IC或设备中的任何其他ESD敏感器件；设备电源的开关，汽车启停以及人员的误操作等产生的突入电流对电路构成威胁，导致某些部件故障的发生等。另外，针对BMS系统，电路过电流、锂电池过电流和电路EFT/尖峰均可能会损坏电路中的电子器件。
2023-04-24
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超共源共栅简史
尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。
2023-04-24
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