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瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市场
存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以FeRAM（铁电存储）和ReRAM（电阻式存储）为代表的新型存储器市场增速最快，将从5亿美元增长到40亿美元，年复合增长率达到42%，发展潜力巨大。
2023-02-06
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PCIe结构和RAID如何在GPUDirect存储中释放全部潜能
随着更快的图形处理单元（GPU）能够提供明显更高的计算能力，存储设备和GPU存储器之间的数据路径瓶颈已经无法实现最佳应用性能。NVIDIA的Magnum IO GPUDirect存储解决方案通过在存储设备和GPU存储器之间实现直接路径，可以极大地帮助解决该问题。
2023-01-06
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2022中国（深圳）集成电路峰会圆满落下帷幕
“2022中国（深圳）集成电路峰会”(简称ICS2022峰会)于12月29日和30日成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛二个主论坛，以及六场专题论坛，包括集成电路设计创新论坛、芯火平台产教融合创新发展论坛、半导体供应链发展论坛、集成电路产业融合论坛、珞珈聚芯协同创新论坛和国微 EDA 生态建设论坛。专业观众与行业专家和行业领导可广泛讨论了技术、产品、市场、投资、产学研商合作、国际环境对策、人才战略和务实的技术创新路线。
2023-01-01
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为什么FeFET变得如此有趣？
随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。铁电材料可以提供非易失性存储器，填补 DRAM 和闪存之间的重要功能空白。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的 2D 沟道是最近 IEEE 电子设备会议的两个亮点。
2022-12-30
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集成电路峰会首日内容精彩： 成熟技术创新，供应链安全，补人才短板，半脱钩下策略发展
今天，深圳坪山格兰云天大酒店分外热闹，来宾欢聚一堂，观众与嘉宾互动，成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛。它们是“2022 中国（深圳）集成电路峰会”的二个主论坛，围绕“创新强链，双驱发展”主题，产学研政商企业代表齐聚一堂，行业头部企业家，芯片供需方特色代表，多位院士，教授，行业分析师，政府官员和行业协会负责人发表主旨讲演。今天的互动内容，论今天，论明天，总结过去，给与会代表四个行动指导思想。“把脉行业务实产品创新，分析国际环境半脱钩有对策，掌握市场数据促进供应链安全发展，展望未来人才短缺是共识”。
2022-12-29
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提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架构显示出多项优势）
近年来随着高性能计算需求的持续增长，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）总线接口被应用到越来越多的芯片产品中，然而HBM的layout实现完全不同于传统的Package/PCB设计，其基于2.5D interposer的设计中，由于interposer各层厚度非常薄且信号线细，使得直流损耗、容性负载、容性/感性耦合等问题严重，给串扰和插损指标带来了非常大的挑战。
2022-12-08
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如何加速HBM仿真迭代优化？
近年来随着高性能计算需求的持续增长，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）总线接口被应用到越来越多的芯片产品中，然而HBM的layout实现完全不同于传统的Package/PCB设计，其基于2.5D interposer的设计中，由于interposer各层厚度非常薄且信号线细，使得直流损耗、容性负载、容性/感性耦合等问题严重，给串扰和插损指标带来了非常大的挑战。
2022-12-07
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15种不同输出电流配置，工业应用的电源转换器设计都给你想全了
当今的工业电子系统包含了许多与消费电子产品相同的组件，如微控制器、FPGA、片上系统 ASIC 及其他电子器件，因而在众多不同的负载电流条件下需要多个低电压轨。另外，工业应用还需要一个按钮接口、一个始终保持接通的电源以用于实时时钟 (RTC) 或存储器、以及从一个高电压电源获得输入功率的能力。其他所需的特性可能包括一个看门狗定时器 (WDT)、一个总停或复位按钮、软件可调的电压电平、以及低输入/输出电压和高芯片温度的错误报告功能。
2022-11-21
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【未来可测】系列之二：忆阻器单元基础研究和性能研究测试方案
忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
2022-09-29
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Xilinx FPGA DDR3设计（一）DDR3基础扫盲
DDR3 SDRAM 全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。双倍速率（double-data-rate），是指时钟的上升沿和下降沿都发生数据传输；同步，是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的；动态，是指DDR3中的数据掉电无法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；随机，是指可以随机操作任一地址的数据。
2022-05-12
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KIOXIA铠侠庆祝NAND闪存发明35周年
2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠近日宣布，其已达成一座新的里程碑——2022年是公司发明NAND闪存的35周年。
2022-05-01
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SRII推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
2022-01-26
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