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被动元件的交货周期将继续延长
2010年4月，被动电子元件的交货期继续延长，由于需求的增长导致供应链持续紧张。根据Paumanok Publications, Inc公司的调查，就电容、线性电阻和分立电感产品线中的重点14类被动元件来说，通过分析2010年3月10日和4月25日的数据，我们注意到平均每45天供货周期就延长4%，但是特定产品线的情况更为严重，而其他的则没有什么迹象。
2010-05-10
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新型LED电源无需电解电容，寿命超过4万小时
创意电子新近推出的TK5401就是这样一款LED驱动电源IC，它具有不需要DC电源特性中所必须的电解电容的特性，使得LED寿命高达4万小时以上。据介绍，TK5401封装内置了高电压功率MOS管及控制电路，因去除电解电容实现了小型化、低成本，并且实现了LED灯的长寿命和高效能。
2010-05-07
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D类音频功率放大器的热耗散分析
D类放大器的散热片可以根据输出功率的半峰值安全地设计尺寸。但是，设计师们仍必须确定准确的散热片的尺寸，成本和应用。放大器的PCB设计也可以用于减小散热量。采用大规模集成电路的铜垫以及连接IC的所有最宽的PC走线可以最大限度的降低功耗。本文详细介绍D类音频功率放大器的热耗散分析
2010-05-05
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CMIC：薄膜电池发展投资超晶硅电池7-8倍
“薄膜电池成本比晶硅电池成本低，但动辄数亿元投资却是晶硅电池的7—8倍，再加上在生产过程中同步产生的技术成本、设备成本、运输成本，其整体成本相比晶硅电池并不具有明显优势，甚至会做亏本。”有关人士透露，目前薄膜电池的转化效率平均在10%左右，相比晶硅电池的17%—20%，还有一定距离。
2010-05-05
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恩智浦半导体北京声学工厂迁址扩产
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）今天在北京经济技术开发区(BDA)为其在此落成的声学解决方案新工厂举行了盛大的开幕典礼。从而将恩智浦半导体先进的矩形扬声器生产线从奥利地维也纳转移到中国来，以便进一步的提高中国声学解决方案工厂的生产能力。
2010-05-04
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LM3464 ：国半推出首款具有动态电压调整功能的大功率LED 驱动器
美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation ）宣布推出业界首款具有动态电压调整功能并拥有多条输出通道的大功率 LED 驱动器。这款控制器的特点是可以驱动多达4串LED ，每串LED 的驱动电流大小一致，偏差极小，而且效率极高。这款型号为 LM3464 的控制器属于美国国家半导体PowerWise® 高能效系列，可以最大化提高系统效率，精简系统设计，从而降低开发成本，尤其适用于需要大量采用 LED 驱动器的照明系统，例如工业照明系统、路灯及汽车照明系统。
2010-05-04
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iSuppli：太阳能电池板跌价 PV系统建量今年将增至136亿瓦
iSuppli近日骤然上调今(2010)年内，太阳电光能(Photovoltaic，PV)系统的预期建置量，并表示先前太阳能电池板价格暴跌，估计在德国的销售量将因此向上激增。
2010-05-04
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2010年3月台湾液晶面板销售额环比增加25％
2010年3月友达光电（AU Optronics，AUO）的大屏幕液晶面板供货量为环比增加22％的977万张，创下历史新高。原因是面向品牌厂商的电视机面板需求出现增加，个人电脑用面板的采购持续活跃。
2010-05-04
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IC设计产业紧贴创新应用，后起之“秀”6月惊艳登场
就在不久前举行的香港电子展上，瑞芯微一口气推出和展示了五十多款移动互联创新应用方案，涵盖iMID（5英寸屏幕以内）、3G MID（内置3G SIM卡）、平板电脑（中国芯iPad）、智能手机（Android+3G+720P）、电子阅读器（俗称电子书）、无线数码相框等一系列革新性终端产品。尽管这是一家芯片厂商，但它的展位上几乎看不到芯片的影子。
2010-04-30
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SO-8系列：恩智浦发布全系列LFPAK封装功率产品
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化，其面积比DPAK封装减小了46%而具有与DPAK封装近似的热性能。
2010-04-30
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HDI系列:Sensortechnics推出3V电池的高精度压力传感器
Sensortechnics推出3-V电池的高精度压力传感器，HDI系列压力传感器能够测量的绝对、差分或规表压力,测量范围从10 mbar到高达5 bar，3Vdc工作电源，使其适用于电池供电的手提或手持设备中。该传感器实现了精准数字信号调理和在0°~85°C范围内实现总误差带(TEB)优于±0.5% FSS的精度。
2010-04-29
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Si8499DB：Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
2010-04-29
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
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