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三级浪涌防护及退耦设计
浪涌(surge)也叫突波、瞬变(voltagetransient)，是电路短路、电源切换或大型发动机开关机引起的电流瞬间超出稳定值峰值的突发现象，一般指发生在几百万分之一秒时间内的一种尖峰脉冲，通常包括浪涌电压和浪涌电流。
2022-04-15
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ZLG快速上下电LDO在智能家居产品中的应用
致远微电子LDO系列产品ZL6205/ZL6105/ZL6103，独有的快速上下电功能，能有效解决智能家居产品日常使用中因频繁开关带来的不稳定性，给我们的智能生活保驾护航。
2022-04-13
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反向恢复时间trr的影响
在逆变器电路中，开关器件的反向恢复时间trr（Reverse recovery time）特性对损耗的影响很大。在这里，我们将使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”进行仿真，以确认trr对逆变器电路的影响。
2022-04-08
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碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用
目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在通信电源中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。
2022-04-06
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小吸收，大作用 —— PoE供电效率提升法宝！
如今，反激变换器在PoE供电场合被普遍采用。但是，你还在为提高PoE供电效率而发愁吗？轻小化是MPS公司电源产品追求的目标，提高开关频率可以减小电感、电容等元件的体积。但是随着开关频率的提高，开关损耗越来越成为效率提升的障碍。
2022-04-06
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图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
2022-04-01
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GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？
作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这两种材料制作的功率半导体具有高耐压，低导通电阻，寄生参数小等优异特性。当应用于开关电源领域中，具有损耗小，工作频率高，可靠性高等优点，可以大大提升开关电源的效率，功率密度和可靠性等性能。
2022-03-27
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集成1700V SiC MOSFET车规高压开关不仅是多个第一
多年来，Power Integrations（PI）不断将许多用于消费类电子AC-DC的产品推向市场，数量和占有率相当可观。现在，凭借长期致力于高效功率应用的能力，PI又将其AC-DC扩展到汽车类应用，特别是轻型电动汽车高压功率架构，这对PI来说可是一个新的应用领域。
2022-03-26
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强鲁棒性低侧栅极驱动电路设计指南
随着新能源时代的到来，车载充电机（OBC）以及光伏逆变器（PV inverter）等新能源应用带来了数字控制开关电源的高速发展。
2022-03-26
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从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅MOSFET浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑，对于平面栅和沟槽栅的选择和权衡也往往迷惑不清。
2022-03-20
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ZDS5054A示波器电源分析功能评测
在碳中和的时代背景下，从毫瓦级到兆瓦级的开关电源都在往高频、高效、高密度的方向发展。ZDS5054A电源分析型示波器配备多种电源智能分析功能，帮助工程师快速设计高效可靠的电源。
2022-03-20
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一个主观术语，它可以用许多你喜欢的方式衡量，但是在功率转换界，它归结为两个相互依赖的主要值，即效率和成本。现在，作为半导体开关材料，硅在导电和动态损耗性能方面已经到达了极限，这已经是一个常识了，因此越来越多的人考虑采用碳化硅和氮化镓宽带隙技术来实现更好的性能。这两种材料具有更好的介质击穿特性，从而可以打造更薄、掺杂更重、导通电阻更低的阻挡层，同时，更小的晶粒体积还可降低器件电容，从而降低动态损耗。
2022-03-10
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