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电源应用常见问题之输出异常
本文简述了开关电源应用常见问题中的输出异常问题，并简要分析了问题产生的原因，同时给出了对应的验证方法和解决及预防的办法，以减少电源在不同应用中产生输出异常的可能，提升系统可靠性。
2023-08-17
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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为什么开关电源容易出故障？选型时一定要注意这些细节！
有客户朋友曾经分享过几张有意思的图，壁虎“可爱地”挂在了电源PCB板上烧坏的地方。哭笑不得之余，也让客户朋友疑惑，壁虎从哪里爬进去的？电源为什么会烧坏？
2023-08-11
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如何表征电源变压器的 EMI 性能
电源变压器通常是隔离开关电源转换器中共模噪声的主要来源。为什么？因为在变压器内部，隔离栅初级侧和次级侧的绕组非常接近（通常间隔小于 1 毫米），导致相邻绕组之间存在显着的寄生电容。
2023-07-24
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了解这些 就可以搞懂 IGBT
绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。
2023-07-18
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DC/DC开关电源电感下方到底是否铺铜？
电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。
2023-07-04
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应用问题解析——LS系列的安规距离设计
本文简述了客户在实际应用金升阳开关电源LS系列的过程中遇到的安规问题，梳理并提出相应的解决方案，以便客户在使用过程中能更好的理解和应用；
2023-06-28
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输出过压保护电路的设计思路
开关电源在使用过程中会发生输出电压过高或者过低的现象：开关电源存在一个额定电压，如果超出额定电压就可能超出输出电容的耐压值，电源会因此发热击穿而烧毁甚至起火，因此设计出不同类型的保护电路，当控制电路失效或其他故障导致电压升高时，关闭电源的输出，从而保护负载，提高系统的可靠性。
2023-06-28
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如何在电源上选择MOS管
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。
2023-06-23
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Zeta拓扑电源原理及工作过程解析
一个使用LT8471双多拓扑DC/DC转换器和2A开关电源应用。该应用程序使用低纹波拓扑输出：+/-5V。通道1使用低输出纹波ĆUK拓扑输出-5V。通道2使用低输出纹波Zeta拓扑输出+5V。输入电压从4V到25V不等。
2023-06-19
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开关电源的脉冲宽度调制（PWM）和脉冲频率调制（PFM）的区别
开关稳压器(Regulatior)，就是实现稳压，需要控制系统(负反馈)，当电压上升时通过负反馈把它降低，当电压下降时就把它升上去，这样形成了一个控制环路。如图1中是脉冲宽度调制（PWM），当然还有其他如：脉冲频率调制（PFM）、移相控制方式等。
2023-06-14
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LED驱动器中I2C的LED控制方式
在电源设计上我们用得多的场合是，从一个稳定的“高”电压得到一个稳定的“低”电压。这也就是经常说的DC/DC，其中用得多的电源稳压芯片有两种，一种叫LDO(低压差线性稳压器，我们后面说的线性稳压电源，也是指它)，另一种叫PWM（脉宽调制开关电源，我们在本文也称它开关电源）。我们常常听到PWM的效率高，但是LDO的响应快，这是为什么呢？别着急，先让我们看看它们的原理。
2023-06-08
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