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现代电子电路的精确电流测量：板级监测的不同测量方法比较
随着电力电子开关技术的不断进步，精确测量电流以用于反馈控制和系统监测的需求越来越高。精确测量电流的方法有多种，每种方法都有其优点和局限性。本文重点介绍需要较高精度与带宽的电流测量方法，这些方法可用于测量诸如计算机/电信板输入电流、逆变器相电流和其他承载电流从几安培到100A的电路电流。
2022-02-21
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如何在工业应用中选择和使用浮动液位传感器
基于磁簧开关的液位传感器为设计者提供了可靠和长寿命的选择，适用于恶劣和苛刻的应用。这些开关有多种配置，可用于测量储液箱是满的还是空的，或者当液体处于两者之间的预定水平时，有些开关可以测量多个液体水平。此外，它们不需要外部电源，可以很容易地满足 EMC 要求。
2022-02-21
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集成驱动器！原来，GaN电源系统性能升级的奥秘在这里~
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸，在高温、高频、高功率、高辐射等功率电子应用领域，不断在向传统的硅基IGBT和MOSFET器件发起强劲的冲击。
2022-02-17
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ADALM2000实验：CMOS模拟开关
理想的模拟开关不存在导通电阻，具有无穷大的关断阻抗和零延时，可以处理大信号和共模电压。实际使用MOS晶体管构建的模拟开关并不符合这些要求，但是如果我们了解模拟开关的局限性，多数也是可以克服的。导通电阻是其中一项局限因素，本实验活动将尝试表征此开关规格。
2022-02-17
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使用开关稳压器！设计您自己的DC/DC转换器
通过使用开关稳压器，可以有效减少电路发热以节约能耗。此外，开关稳压器有助于减小散热器尺寸，从而可以制作出更紧凑的电路以及发热量更少的电源电路。
2022-02-16
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开关电源的用途、优点以及工作原理
电源是将来自能量源（如供电网）的电流转换为负载（如电机或电子设备）用电所需电压值的电气设备。电源主要有两种设计：线性电源和开关电源。
2022-02-15
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低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比，只是VDS和ID变化的顺序发生了改变，其他基本动作是一样的。
2022-02-14
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SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。
2022-02-11
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理想开关自身会带来挑战
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驱动设计新探索：如何避免误开通？
随着SiC 工艺逐渐成熟和成本不断下降，SiC MOSFET凭借整体性能优于硅基器件一个数量级的优势正逐渐普及，获得越来越多的工程应用。相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化，因此广泛适用于5G数据中心通信电源，新能源汽车车载充电机，电机驱动器，工业电源，直流充电桩，光伏，UPS等各类能源变换系统中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用过程中的常见问题集（上）
由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。当前碳化硅功率器件主要在新能源汽车的车载充电机、充电桩、计算机电源、风电逆变器、光伏逆变器、大型服务器电源、空调变频器等领域，根据Yole估计，未来市场将有每年30% 左右的高速增长。为此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各种电压等级SiC MOSFET以应对市场需求。在从硅器件到碳化硅器件使用转变过程中，客户常常会遇到一些疑问或者使用问题，为此，派恩杰针对客户的问题进行归纳总结并分享一些解决办法。
2022-02-09
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开关稳压器的封装体积正变得越来越小
开关稳压器电路已经存在多年，用户可以选择使用分立式组件来设计自己的产品，也可以购买模块化成品。如今，能够满足最新的效率、EMI和功率密度要求的技术让模块化方案获得更多的青睐。
2022-02-09
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