-
贸泽电子新品推荐：2023年第二季度推出近30,000个新物料
2023年7月20日 – 业界知名的全球授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)，专注于快速引进新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度，实现从设计链到供应链™的全程优势。贸泽受到1,200多家半导体和电子元件制造商的信任，帮助他们将产品分销到全球市场。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-08-01
-
安森美 M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。
2023-07-28
-
电源设计更快更好，高效能图腾柱PFC应用须知
现今电源供应器市场为因应全球减碳活动，已经将效能目标设定为更高效率、减少损失、节省能源、降低成本、提高系统容量为主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1680/1681设计方案，相较传统PFC之转换效率可以提升3%~4%，符合未来电源供应器之节省能源，降低成本，提高系统容量之诉求。加上NCP1680/1681快速的负载暂态补偿响应，以及高规格安规等级各式保护功能，特别是具有PFC-OK讯号供应后级电源时序控制，NCP1680/1681应用达到高效率，高功率因子，以及高稳定性PFC应用。
2023-07-28
-
介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降压、升压、SEPIC、ZETA和非同步降压-升压等拓扑。ADI有多款同步降压、升压变换器和控制器，但支持同步SEPIC拓扑的并不多。SEPIC拓扑其实非常实用，因为无论输入电压远低于或远高于输出电压，它都能提供稳定的电平输出。
2023-07-27
-
用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。
2023-07-26
-
全集成汽车USB Type-A和USB Type-C充电器控制芯片
汽车中控系统通常都会提供一个 USB 充电端口，该端口需要在传输数据的同时为移动设备充电。对这些系统而言，选择带 USB 限流开关的汽车级 IC 非常重要。本文将介绍 MPS 的 USB 充电端口降压变换器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何将其高效率的优势应用于 USB 集线器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 应用中。
2023-07-25
-
如何从正电压电源获得负电压，正电压转负电压的方法图解
该电路图显示了如何从正电压电源获得负电压。该电路的另一个优点是，负电压与原始正电源一起可用于模拟双电源。该电路基于定时器ICNE555。NE555作为非稳态多谐振荡器接线，工作频率约为1KHz。方波输出（如果位于IC的引脚3处）。
2023-07-25
-
借助更多的选项响应正反馈
负反馈什么时候会变成正反馈？当控制工程师想要实现不错的增益和相位裕度时。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何为设计人员提供理想性能和多种器件选择，同时支持更高的设计灵活性，从而实现成本效益最优的功率设计。
2023-07-24
-
华润微总裁李虹：中国半导体市场下滑趋势有到底迹象！
6月17日，在广州南沙召开的第二届中国•南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）上，国内IDM大厂华润微（SH688396）总裁李虹在演讲中表示，中国半导体市场规模在过去的一年当中，增速弱于全球，呈现周期性衰退，但下滑趋势有到底迹象。
2023-07-24
-
工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（1686908889869977.png）和就绪 (RDY) 输出，复位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去饱和保护 (DESAT)，去饱和情况下软关断，拉电流 (OUTH) 和灌电流 (OUTL) 分离驱动输出（仅限 NCD(V)57000），精确欠压闭锁 (UVLO)，低传播延迟（最大值90 ns）和小脉冲失真（最大值25 ns），较高的共模瞬变抗扰度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V条件下可承受 100kV/us（最小值），输入信号范围涵盖 5 V 和 3.3 V，输出差分偏置电压（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 额定值为 25 V（最大值），VEE2 额定值为 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 电流隔离和 1.2 kV 工作电压能力，输入和输出之间的爬电距离保证至少 8 mm。宽体 SOIC-16 封装满足增强型安全绝缘要求。
2023-07-21
-
LM358的工作电压范围
手边有一堆之前购买到的 LM358 低功耗双运放 IC 芯片。下面计划对其基本功能进行测试。这是在面包板上搭建的一个振荡电路。电路输出方波和三角波。应用 LM358 其中的一个运放，R1，R2 正反馈网络使得LM358形成斯密特特性的比较器。R3, C1 构成负反馈，形成多谐振荡器。这是测量电路工作波形。蓝色信号是 LM358的输出，青色波形是 C1 电容上的充放电波形。振荡频率为 1.826kHz。下面应用这个电路来测量两个特性。一个是振荡电路随着工作电压变化，对应的频率变化。另外一个是该电路的最大工作电压是多少。下面让我们看一下测量的结果。
2023-07-20
-
安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作， 协议总价值超10亿美元
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- 今天下单明天发货，嘉立创FPC软板四层也可以免费打样了
- 坚守初心不做跟随者，加特兰UWB如何重塑车规芯片赛道？
- 全球电子协会 & 迅达科技：校企协同育人才 AI 成果赋能产业实操
- 亚太AI应用差异化推进——安富利洞察报告解读区域创新优势
- 优选Samtec：行业全面互连评估开发套件，搭配闪电服务更省心
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
