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利用可采用电子方式重新配置的GaN功率放大器，彻底改变雷达设计
本文首次展示了一种基于多频段发射器设计的可靠商用大功率放大器，该放大器采用了 Charles Campbell 演示的可重新配置的 PA 专利技术 [2,3,4]。可重新配置的 PA 采用可根据每个相关频段的控制位设置重新配置的单输入和单输出匹配网络。每个位设置针对特定频段的最优性能配置所有匹配网络，从而使 PA 能够在紧凑型封装中实现最优系统级性能。这样就可以减少整体尺寸和重量。这种新型可重新配置的 PA 设计方法可克服传统多频段发射前端设计的多个缺点。最明显的优势就是可消除 PA 输出的频段选择开关。从而将输出损耗降低了 0.8-1.0 dB，使其与传统设计方法相比具有明显的优势。如果设计采用最佳负载阻抗和智能开关布局，可重新配置 PA 则可接近通过特定的独立调谐频段放大器实现的性能水平。
2021-09-01
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如何将EMI控制在极低水平？这款稳压器来助力
汽车、交通运输和工业应用对噪声敏感并且需要低EMI电源解决方案。传统方法通过减慢开关边沿或降低开关频率来控制 EMI。这两种方法都会产生不良的影响，例如效率下降，最短接通和关断时间增加，以及需要采用大尺寸的解决方案。EMI 滤波器或金属屏蔽等替代方案在所需的电路板空间、组件和装配方面增加了大量成本，并使热管理和测试复杂化。
2021-08-24
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开关电源的LLC 拓扑
近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
2021-08-22
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利用SiC FET降低电磁干扰和开关损耗
器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。
2021-08-20
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直流开关电源结温的直接测量法
设计人员经常需要测量直流开关电源的结温。这在温度试验箱中非常难于实现，因为热像仪不仅数据不准而且可能在高温环境下损坏，而外部温度传感器又很难固定在小尺寸封装上。本文演示了一种利用二极管电压与温度之间关系的直流电压读取方法，它使用电源正常指示 (PG) 引脚上的MOSFET 体二极管直接读出温度，为工程师提供了一种测量IC结温的实用方法。
2021-08-16
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什么是总栅极电荷（Qg）？
"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。
2021-08-16
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大功率晶闸管参数解析之正向特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。
2021-08-16
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齐纳、PIN、肖特基和变容二极管的基础知识及其应用
虽然传统的硅二极管或锗二极管在大多数电子应用中可以很好地作为整流器和开关元件使用，但它们不具备电子微调、电子衰减、低损耗整流、基准电压生成等功能。最初，我们使用更原始、成本更高且体积更大的“蛮力”方法来完成这些任务。这些方法现在已经让位于更精巧的特殊用途二极管，包括变容二极管、PIN 二极管、肖特基二极管和齐纳二极管。
2021-08-16
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低辐射的4开关降压-升压型控制器布局——单热回路与双热回路
汽车应用电路必须满足严格的EMI标准，以避免干扰广播和移动服务频段。在很多情况下，Silent Switcher®和Silent Switcher 2解决方案在满足这些标准方面可以发挥重要作用。但是，在任何情况下，都必须要精心布局。本文专门讨论4开关降压-升压型控制器的两种可能解决方案，并比较EMI室的测量结果。
2021-08-12
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UCC21520在LLC电路中的应用
LLC电路拓扑因其可以实现变压器原边开关管的ZVS(Zero voltage switch)开通，变压器副边二极管的ZCS（Zero Current switch）关断，成为高效率高功率密度需求下的主要DC/DC拓扑，受到广大工程师的青睐。但是实际应用中怎么去驱动LLC的开关管呢？以全桥LLC为例，上开关管与下开关管不共地，因此我们需要隔离驱动上开关管。实际操作过程中，我们常采用两种做法，第一种方法使用UCC27712这一类半桥式驱动来驱动一个半桥，第二种方法使用隔离驱动加隔离电源来驱动半桥的上管。为了防止功率地对控制地的干扰，目前第二种隔离驱动方案的使用越来越普遍。
2021-08-10
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N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。
2021-08-10
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助你轻松并联增加输出功率，这款μModule稳压器你爱了没？
LTM8055 是一款具 5V 至 36V 输入范围的降压-升压型 μModule®稳压器，其可容易地通过并联以扩展负载电流能力。该器件的四开关降压-升压型拓扑具有高效率，同时允许输入电压低于、等于或高于输出，并可在调节模式之间实现平滑转换。
2021-08-08
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