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5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。
2023-02-17
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MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10
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如何使用隔离运算放大器构建电源环路补偿
误差放大器作为开关电源中的重要器件，对开关电源环路进行补偿，开关电源的输出的精度和响应速度有着重要作用。本文首先将光耦+TL431 和 CA-IS3102W 进行了对比，阐述了川土微电子CA-IS3102W在开关电源应用中的优势，给出了典型应用中的一些方法和建议。
2023-02-08
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功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。
2023-02-07
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两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！
输入过压是由电网负载的巨大波动引起的。例如，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高。
2023-02-03
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通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关（例如 CoolGaN™）用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器 IC（如EiceDRIVER™）在实现高性能方面发挥着重要作用。
2023-01-29
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详解：大电流MOSFET的门极驱动峰值电流的计算方法
大电流MOSFET的使用广泛，它们的导通电阻低，电流能力较大，适合在各种开关电源中应用，在具体的器件驱动电路设计中，需要注意其门极电容较大，适合的门极驱动器需要有足够的电流，去将门极电容充电，从而使电压达到Vth，进而在系统允许的时间内去完全导通。
2023-01-17
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直流系统性能劣化导致基站瞬断的解决方案
本文针对现网宏蜂窝基站部分老旧开关电源下电和恢复电压参数设置受限，当配套的蓄电池组性能劣化时，会导致在交流停电后，开关电源反复给设备供断电，引起基站频繁瞬断的情况，考虑在直流供电系统中引入独立的供断电判断机制，经过实验，成功解决了此类基站的瞬断问题。
2023-01-17
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在栅极驱动器IC方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3 kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关（例如 CoolGaN™）用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器 IC（如EiceDRIVER™）在实现高性能方面发挥着重要作用。
2023-01-16
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电感饱和与开关电源之间的密切关系（中）
在【精选知识讲堂】丨电感饱和与开关电源之间的密切关系，这篇讲透了！(上篇）中，我们揭示了电感饱和与开关电源之间的亲密关系，并从开关电源的控制模式开始，用各种数学方法分析了功率电感器饱和对开关模式电源控制运行的影响。
2023-01-16
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电感饱和与开关电源之间的密切关系(上篇）
作为电源界的"古早网红"，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用在几乎所有的电子设备中，而且在当今的智能互联时代也依然占据通信系统的C位，其热度经久不衰。
2023-01-12
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隔离电流检测放大器在PFC升压系统中的应用
PFC( Power Factor Correction)被称为“功率因数校正”，被定义为有效功率和总耗电量(视在功率)的比值。当使用于大中功率开关电源时，提高功率因数可以降低电网传输中的损耗从而提高电能的输送效率。因此提高功率因数有着重要的意义。
2023-01-10
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