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LM358的工作电压范围
手边有一堆之前购买到的 LM358 低功耗双运放 IC 芯片。下面计划对其基本功能进行测试。这是在面包板上搭建的一个振荡电路。电路输出方波和三角波。应用 LM358 其中的一个运放，R1，R2 正反馈网络使得LM358形成斯密特特性的比较器。R3, C1 构成负反馈，形成多谐振荡器。这是测量电路工作波形。蓝色信号是 LM358的输出，青色波形是 C1 电容上的充放电波形。振荡频率为 1.826kHz。下面应用这个电路来测量两个特性。一个是振荡电路随着工作电压变化，对应的频率变化。另外一个是该电路的最大工作电压是多少。下面让我们看一下测量的结果。
2023-07-20
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安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作， 协议总价值超10亿美元
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引领行业的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势
本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势，提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识，接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息，并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后，本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLECS 模型以及相关的影响。总结部分阐明了安森美工具比业内其他用于电力电子系统级仿真的工具更精确的原因。
2023-07-19
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具有更高效率与优势的碳化硅技术
碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。
2023-07-19
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贸泽电子第六次斩获Molex年度全球优质服务代理商奖
2023年7月19日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) ，宣布荣获全球电子产品知名企业和连接创新者Molex颁发的2022年度全球优质服务（目录）代理商奖。这也是贸泽第六次斩获这一全球知名奖项，贸泽凭借2022年度全球客户数大幅增长，以及增速迅猛的销售业绩而获此殊荣。
2023-07-19
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贸泽电子为设计工程师提供丰富多样的技术电子书
专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 发布了三本与设计相关的新电子书，深入开展一系列技术探讨，包括城市空中运输电动交通工具的未来、车队远程信息处理设计，以及下一代系统架构的进展。
2023-07-18
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PFC电路：死区时间理想值的考量
由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的PWM控制器参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。
2023-07-18
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计算DC-DC补偿网络的分步过程
本文旨在帮助设计人员了解DC-DC补偿的工作原理、补偿网络的必要性以及如何使用正确的工具轻松获得有效的结果。该方法使用LTspice®中的一个简单电路，此电路基于电流模式降压转换器的一阶（线性）模型1。使用此电路，无需执行复杂的数学计算即可验证补偿网络值。
2023-07-17
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绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第一部分，将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的静态特性。
2023-07-13
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Amphenol安费诺焕新发布ExaMAX2® Gen2，解放AI硬件算力效能！
中国上海，2023年7月11日——全球连接器领先企业Amphenol安费诺在2023 electronica China慕尼黑上海电子展宣布重磅推出焕新产品ExaMAX2® Gen2。作为ExaMAX2® 系列的增强版，ExaMAX2® Gen2较上一代在性能方面有了显著改进。此次升级将使ExaMAX2® 连接器在信号完整性（包括反射和隔离）方面成为性能最佳的112G连接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模块中的NTC温度传感器解析
大多数功率模块包含一个NTC温度传感器，通常它是一个负温度系数热敏电阻，随着温度的增加其电阻会降低。因为其成本较低，NTC热敏电阻可以作为功率模块温度测量和过温保护的器件，但是其它器件如PTC正温度系数电阻是更适合用来做具体的温度控制应用。使用温度传感器的信息相对比较容易，但是需要注意系统内涉及到安全的考虑。
2023-07-12
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