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贸泽电子新品推荐：2023年第一季度推出逾15,000个新物料
2023年4月25日 – 业界知名的全球授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)，专注于快速引进新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度，实现从设计链到供应链™的全程优势。贸泽受到1200多家半导体和电子元件制造商的信任，帮助他们将产品分销到全球市场。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-05-03
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安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议
2023 年 4 月 26日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。
2023-05-03
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安森美向海拉交付第10亿颗感应传感器IC
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10亿颗感应传感器接口集成电路（IC），海拉是一家国际汽车零部件供应商，也是佛瑞亚（FORVIA）集团旗下公司。这颗由安森美设计的IC被用于海拉的汽车线控系统非接触型感应位置传感器（CIPOS®）技术。在长达25年的合作中，两家公司开发的创新设计缩小了海拉模块和安森美IC的尺寸，以更好地适配对模块外形尺寸有着高要求的应用。
2023-05-03
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总结肖特基势垒二极管对宽带隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙材料具有优于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工业界采用宽带隙材料来满足功率器件应用中的低功耗需求。这种需求导致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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如何控制无刷直流电机
无刷直流（BLDC）电机已经广泛应用于家用电器、工业设备和汽车等领域。相对于传统有刷电机，虽然无刷直流电机能够提供更可靠和免维护的替代方案，但却需要更复杂的电子设备来进行驱动。本文将探讨驱动无刷直流电机的多种不同技术、传感器方案以及使用的流行算法。此外，还将介绍一些来自领先供应商的电机驱动器IC以及合适的开发和原型设计资源。
2023-04-28
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独立式有源EMI滤波器IC如何缩小共模滤波器尺寸
功率密度是汽车车载充电器和服务器电源等高度受限系统环境中的主要指标。务必要减小电磁干扰 (EMI) 滤波器元件的体积，从而确保解决方案能够满足严苛的外形尺寸要求。
2023-04-26
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纳芯微模拟IC在光伏系统中的一站式解决方案
近年来，可再生能源已成为全球能源革命和应对气候变化的主导方向和一致行动，光伏作为重要的可再生能源发电技术正在快速发展，成为清洁、低碳并具有价格竞争力的能源形式。
2023-04-26
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采用SiC MOSFET的3kW图腾柱无桥PFC和次级端稳压LLC电源
节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。
2023-04-26
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560V输入、无光隔离反激式转换器
在传统的隔离式高压反激式转换器中，使用光耦合器将稳压信息从副边基准电压源电路传输到初级侧，从而实现严格的稳压。问题在于，光耦合器大大增加了隔离设计的复杂性：存在传播延迟、老化和增益变化，所有这些都使电源环路补偿复杂化，并可能降低可靠性。此外，在启动期间，需要泄放电阻或高压启动电路来初始为IC上电。除非在启动元件上增加额外的高压MOSFET，否则泄放电阻器是造成不受欢迎的功率损耗的来源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保护设计
随着汽车功能的丰富，USB2.0/3.0、电源输入口、按键、SD卡槽等被广泛应用。由于以下几点，ESD、突入电流、抛负载以及负载短路等成为了硬件设计人员关注要点。例如，干燥季节，静电通过这些接口破坏IC或设备中的任何其他ESD敏感器件；设备电源的开关，汽车启停以及人员的误操作等产生的突入电流对电路构成威胁，导致某些部件故障的发生等。另外，针对BMS系统，电路过电流、锂电池过电流和电路EFT/尖峰均可能会损坏电路中的电子器件。
2023-04-24
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超共源共栅简史
尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短沟道效应
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。
2023-04-24
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