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“创新强链，双驱发展”2022中国（深圳）集成电路峰会在深圳坪山第二天论坛热烈进行中（下）
由深圳市人民政府、中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办，深圳市半导体行业协会社会承办的以“创芯强链，双驱发展”为主题的“2022中国（深圳）集成电路峰会”（以下简称：ICS2022峰会），于2022年12月30日在深圳坪山格兰云天国际酒店继续第二天多场行业论坛。ICS2022峰会集中展示了我国集成电路产业最新的技术成果，聚集了众多国内外专家学者、技术大咖和企业领袖，围绕集成电路技术与产业应用创新、产业链生态与安全机制建设、国际局势分析与协同发展、技术演进趋势与热点
2022-12-29
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2022 中国（深圳）集成电路峰会隆重召开
【深圳坪山格兰云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半导体协会】由深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组共同举办的以“创新强链，双驱发展”为主题的“2022 中国（深圳）集成电路峰会”（以下简称：ICS2022 峰会），于2022年12月29日至30日，在深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。本届峰会聚集了国内外著名院士、专家学者、政府官员、技术大咖和企业领袖，围绕集成电路技术与产业应用创新、产业链生态与安全机制建设、国际局势分析与协同发展、技术演进趋势与热点应用、资本整合与运作模式创新、芯片与整机产业联动等方向，共同探讨新形势下的产业发展机遇，助推我国创新发展优势，加快科技强国建设。
2022-12-29
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ICS 2022峰会直通车丨“线上线下”相结合，高效务实开峰会
为减少人员聚集，降低疫情传播风险 ，2022年中国（深圳）集成电路峰会（以下简称：ICS 2022峰会）将以“线上会议+线下会议”方式举行。由深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组拟定以“创新强链，双驱发展”为主题，于2022年12月29日-30日在深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举办（凭绿码即可参会）。
2022-12-28
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双栅结构 SiC FETs 在电路保护中的应用
据介绍，Qorvo 是一家专注于射频领域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技术都有投入的公司。此外，Qorvo 在触控和电源等方面也有布局。如在 2021 年领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商 UnitedSiC 公司的收购，就扩展 Qorvo 在高功率应用方面的市场机会，这部分业务也被纳入了 Qorvo 的 IDP 部门。
2022-12-28
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浅谈碳化硅寿命中的挑战
功率半导体作为电力电子行业的驱动力之一，在过去几十年里硅(Si)基半导体器件以其不断优化的技术和成本优势主导了整个电力电子行业，但它也正在接近其理论极限，难以满足系统对高效率、高功率密度的需求。而当下碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体以其优异的电学和热学特性使得功率半导体器件的性能远远超过传统硅材料的限制。
2022-12-26
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基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计
近些年，MEMS加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻、压电、光学等原理的加速度计，以检测输入加速度引起的检测质量块位移。在这些技术中，光学方案已被证明具有更高的精度和稳定性，并且不会受到电磁干扰（EMI）。
2022-12-26
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邮票式SoM模块，加快工业以太网应用
现代工厂中，在设备上添加工业以太网功能已经成为已成为制造业抢抓机遇、塑造优势的“必选项”。然而为实现工业以太网功能而修改设备的全部设计，这在时间和成本方面都造成了巨大的开发负担。为应对这一挑战，瑞萨推出了千兆工业以太网SoM解决方案，该方案使用瑞萨的电源管理IC、光电耦合器、EEPROM和其它混合信号器件，在SoM+载板架构中提供可配置的工业以太网。
2022-12-23
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物联网原型开发，如何能够“快”起来？
根据IDC的数据，2021年全球物联网支出规模达6,902.6亿美元，并有望在2026年达到1.1万亿美元，2022年至2026年的年复合增长率（CAGR）为10.7%。同时，IoT AnaIytics的研究报告也显示，2020年全球物联网设备连接数达113亿，首次超过非物联网设备连接数，预计2025年将达到270亿，复合增长率更是高达22%！在可以预见的未来，物联网中蕴藏着巨大的商机，这已是不争的事实。
2022-12-23
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先进碳化硅技术，有效助力储能系统
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。
2022-12-22
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
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氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利，其中就包括采用RC电路的负压关断方案。
2022-12-22
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贸泽备货超20,000种TDK Corporation产品
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 是TDK Corporation解决方案的全球授权分销商。贸泽为客户提供来自TDK及旗下公司EPCOS、InvenSense、Micronas、Tronics和TDK-Lambda的20,000多种产品。
2022-12-21
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