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25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结
在我们的系列参考设计文档中，我们详细描述了25 kW直流快充模块的开发过程。本白皮书则主要探讨25 kW直流快充模块的开发和测试中硬件和固件设计以及调试阶段的技巧与诀窍。我们将介绍如何测试和微调去饱和保护功能，分析SiC MOSFET漏极电压振铃的原因，以及添加缓冲电容的好处。此外还考虑如何在环回测试中使用比待测器件(DUT)功率更低的设备来测试DUT。最后，我们将讨论相移双有源桥控制算法设计。
2023-01-11
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使用即插即用的D类放大器轻松实现可穿戴和物联网音频
耗电显示器不是与电池供电的便携式、可穿戴和物联网设备接口的最有效媒介。因此，低功耗音频正迅速成为一种更受欢迎的替代品。在本设计解决方案中，我们回顾了D类数字音频放大器，并讨论了一些当前解决方案的限制，然后介绍了一种巧妙封装的IC，该IC需要最少的配置即可快速为这些应用带来高质量的音频。
2023-01-11
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满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块
本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V并网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着，该功率模块适用于储能系统等新兴应用。
2023-01-10
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车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇
中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道。在这里我们注意到，由于里程焦虑和快速充电的要求，800V 电池母线系统获得了不少的OEM或者Tier1的青睐。谈到800V母线系统，让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块，由于碳化硅得天独厚的优势，使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET，这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母线系统的发展，有一些研究机构，预测截至到2026年，SiC在整个功率器件市场的占比将达到12%以上。
2023-01-10
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艾迈斯欧司朗与Quadric达成合作，携智能图像传感器亮相CES展会
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗与端侧AI机器学习处理器IP创新者Quadric宣布达成战略合作，双方将联合开发集成传感模块，结合艾迈斯欧司朗前沿的Mira系列可见光和红外光CMOS传感器与Quadric新型Chimera™ GPNPU处理器。这些模块实现超低功耗，双方的融合将为可穿戴设备、机器人、工业及安防市场提供创新的智能传感方案。合作产品已在2023年1月5日至8日拉斯维加斯CES展会首次亮相，并进行现场演示。
2023-01-09
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安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效
2023年1月6日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，和世界头号大型光伏（PV）太阳能和储能系统直流优化器公司Ampt LLC宣布携手合作，以满足市场对直流组串优化器的高需求。Ampt在其直流组串优化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技术之N沟道SiC MOSFET，用于关键的功率开关应用。
2023-01-07
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数字控制回路的模拟组件（模拟控制器转向易于编程的数字控制环路）
移动、汽车和物联网 （IoT） 电气和电子系统的加速部署，加上上市时间窗口的缩短，导致需要对支持它们的 IC 进行更快速、更低成本的测试。
2023-01-06
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集成电路发展策略与内外环境认知
近年来，集成电路行业处在风口浪尖，备受关注。在刚刚结束的2022 ICS集成电路峰会上，魏少军教授、李珂先生等行业专家给出了他们的观点，用事实和数据说明，在成熟的集成电路工艺和EDA工具上实现芯片产品创新，并不需要最先进的工艺，追求能量效率这个指标，就能实现产品创新特色。说到美国单向脱钩，表示我们不想脱钩，就会出现半脱钩，美国要确保领先中国二代半导体技术。2023年他们会加大对中国遏制，不会减缓，只会加强。本期文章根据各位专家的观点，从成熟技术创新，供应链安全，补人才短板，半脱钩下策略发展四个方面来看集成电路发展策略与内外环境认知。
2023-01-06
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芯片国产替代：替代策略与实施要则干货
在缺“芯”困局之下，国产替代的呼声愈发高涨。但就目前的产业环境而言，国产芯片替代实际上机遇与挑战并存。半导体行业由于其自身“高精尖”特质所致，是典型的资产密集、技术密集、人才密集型产业。产品从研发到量产的周期较长，需数十年。同时，芯片国产化的机遇也是空前的。国家利好政策不断发布：投资补助、税收优惠等为半导体产业发展保驾护航，加之众多资本持续加大对芯片产业的投资力度，也有助于国产厂商的发展及技术突破。本文内容根据2022 ICS集成电路峰会论坛上，深圳市大盛唐科技有限公司总经理韩军龙带来的国产替代实战分享，来了解关于芯片国产替代的策略及实施要则。
2023-01-06
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瑞萨电子推出首款支持新Matter协议的Wi-Fi开发套件
2023 年 1 月 5 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter协议的开发套件，同时宣布将在未来所有Wi-Fi、低功耗蓝牙®（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收购的Dialog Semiconductor和Celeno Communications产品上，提供对Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驱逆变器碳化硅功率模块被现代汽车选中用于高性能电动汽车
2023年1月5日 —领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模块已被起亚（Kia Corporation）选中用于EV6 GT车型。这款电动汽车（EV）从零速加速到60英里/小时只需3.4秒，最高时速达161英里/小时。在该高性能电动汽车的主驱逆变器中，EliteSiC功率模块实现了从电池的直流800V到后轴交流驱动的高效电源转换。安森美会继续与现代起亚汽车集团（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，简称HMC/KIA）合作，将EliteSiC技术用于其即将推出的基于电动化全球模块型平台（E-GMP）的高性能电动汽车。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点
新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点，介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景，并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根据SiC MOSFET驱动对供电的特殊要求，对不同供电设计方案的优劣势进行了分析。
2023-01-05
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