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复杂电源系统中的明星：数字化多路电源模块将即将崭露头角
近几年来，板级电源模块产品呈现爆炸式发展态势，其集成度高、体积紧凑的优点，吸引了越来越多的终端客户选择。而越来越多的应用类型、越来越复杂的使用场景，也对电源模块产品提出了更高的挑战。如何达到性能最优？如何提升用户设计体验？如何增强可靠性？各种尖锐的问题，促使IC电源厂商不断追求着控制策略优化、工艺优化、设计结构优化。MPS在电源模块产品设计方面有着自己独到的理解和技术沉淀，并藉此推动电源模块产品的交付量迅猛增长。
2022-12-07
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适用于下一代大功率应用的XHP2封装
轨道交通牵引变流器的平台化设计和易扩展性是其主要发展方向之一，其对半导体器件也提出了新的需求。一方面需要半导体器件能满足更宽的电压等级和电流等级，另一方面也要兼容电力电子器件的新技术，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。这样既有利于电力电子系统的平台化设计，也可以增加系统的功率密度，减小系统的尺寸和体积。因此，半导体器件需要具有更低的杂散电感、更大的电流等级和对称的结构布局。本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。
2022-12-05
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用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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通过利用电化学诊断技术分析传感器的健康状况
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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贸泽电子带你探索汽车设计发展新趋势
专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 致力于为采购人士和工程师提供各类资源和新产品，助其走在汽车解决方案的创新前沿。贸泽携手知名制造商合作伙伴通过博客、文章、视频等，带你深入了解现代汽车设计挑战和解决方案，洞察汽车行业的未来。
2022-12-02
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车辆电压保护——将电压水平保持在限度内
车辆中可能会短暂存在高电压，而仅比规定电压高出几伏就足以损坏高度敏感的IC器件。因而针对静电放电 (ESD)、抛负载(load dump)脉冲和瞬变提供充分保护是至关重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源阵列封装天线技术研究
提出了一种5G 毫米波有源阵列封装天线。该阵列由8×16 个微带天线单元组成，通过耦合式差分馈电，天线实现了宽带匹配和方向图高度对称特性。通过对天线与芯片进行合理布局，减小了芯片射频端口到天线子阵的馈电线损，提高了有源阵列天线的整体效率。测试结果表明，该阵列天线在工作频段为24．25～ 27．5 GHz 的等效全向辐射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且阵列波束扫描至±30°、±60°时的增益下降分别不超过0．6 dB、4．1 dB，具有良好的宽角度波束扫描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模块让工业设备更小、更高效
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。
2022-12-02
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谈谈热门的氧化镓
高效的超高压功率转换设备(电压>20kv)需要比硅的能隙大得多的半导体。宽带隙(WBG)半导体碳化硅(SiC)已经成熟成为电力电子的商业技术平台，但超宽带隙(UWBG)(带隙>4.5eV)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85 eV的大带隙和晶体生长方面的突破，导致了2012年第一个Ga2O3晶体管的演示。Ga2O3有希望成为电力电子平台，但在未来十年将这种UWBG半导体投入商用存在挑战。
2022-11-28
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多电源IC的上电时序控制你搞明白了么？
人们常常想当然地为PCB的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。这些问题可能并不突出，直到量产开始，器件和设计的容差接受检验时才被发现，但为时已晚，项目和产品的时间及交货将会受到极大影响，成本大幅攀升。为了解决这一阶段中发现的错误，将需要进行大量修改，包括PCB布局变更、设计更改和额外的异常现象等。
2022-11-28
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高压电动汽车的低压电池监控
如果您还没有驾驶电动汽车 （EV）——混合动力电动汽车 （HEV）、插电式混合动力汽车（PHEV） 或全电动汽车——那么很有可能，您可能很快就会驾驶。里程焦虑已成为过去。您现在可以帮助保护环境，而不必担心被困在其中。世界各国政府提供慷慨的财政激励措施来抵消电动汽车的溢价，希望引导您远离购买内燃机（ICE）汽车。一些政府已经采取措施，要求汽车制造商制造和销售电动汽车，希望市场最终将由它们主导，而另一些政府则在沙子上划了一条更明确的界限;例如，德国已经在推动到2030年禁止内燃机汽车。
2022-11-28
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SiC助力轨道交通驶向“碳达峰”
当前，全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中，轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能，且带动大量基础设施建设，因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异，但总体实现时间将较为接近。在中国，这个时间节点是2030年之前。
2022-11-25
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