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【高峰论坛】东风在即 • 第三代半导体如何商业化落地？
第三代半导体在我国发展的开端应追溯至2013年。当年我国科技部制定“863计划”首次明确将第三代半导体产业划定为国家战略发展产业。随后2016年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点之一。至此，我国企业开始加大对第三半导体研发投入。2018年中车时代电气建成了我国首条6英寸碳化硅SiC生产线。同年泰科天润建成了我国首条碳化硅SiC器件生产线。2019年，三安集成建成了我国首条6英寸氮化镓GaN外延芯片产线并投入量产。2020年华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。
2022-11-22
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使用RA2E1的NFC无线充电联合解决方案
全球领先的半导体公司和MCU技术领导者瑞萨电子与创新的NFC技术领导者Panthronics公司推出针对可穿戴市场的NFC无线充电解决方案，可以为电池提供高达1W的充电功率，多项指标行业领先。
2022-11-22
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15种不同输出电流配置，工业应用的电源转换器设计都给你想全了
当今的工业电子系统包含了许多与消费电子产品相同的组件，如微控制器、FPGA、片上系统 ASIC 及其他电子器件，因而在众多不同的负载电流条件下需要多个低电压轨。另外，工业应用还需要一个按钮接口、一个始终保持接通的电源以用于实时时钟 (RTC) 或存储器、以及从一个高电压电源获得输入功率的能力。其他所需的特性可能包括一个看门狗定时器 (WDT)、一个总停或复位按钮、软件可调的电压电平、以及低输入/输出电压和高芯片温度的错误报告功能。
2022-11-21
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Vicor实现电源转换突破，推动机器人革命
今天的集成电源模块正在满足尺寸、重量、电源预算以及成本效率的需求，这些都是将机器人从工厂、家庭以及商业应用带入一个您所能想象的广阔全新天地所必需的。
2022-11-21
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贸泽电子荣膺2022年度Qorvo全球分销商大奖
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 非常高兴地宣布，荣膺全球知名连接和电源解决方案提供商Qorvo®颁发的2022年度全球分销商卓越表现奖。这一大奖肯定了贸泽对加强Qorvo在诸多应用领域重要地位方面所发挥的作用，包括蜂窝和宽带网络、物联网以及国防和航空。
2022-11-18
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基于英飞凌TC275的电动助力转向系统(EPS)方案
电动助力转向系统（Eelectric Power Steering 简称 EPS 是一种直接依靠电机提供辅助扭矩的动力转向系统 。它作为一种新型助力转向系统与已有几十年发展历史的传统液压转向技术相比，具有诸多优点。
2022-11-17
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安森美的碳化硅技术赋能纯电动汽车VISION EQXX单次充电续航更远
领先于智能电源和智能感知技术的安森美宣布梅赛德斯-奔驰在其主驱逆变器中采用安森美的碳化硅（以下简称“SiC”）技术，这是两家公司战略合作的一部分。
2022-11-16
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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。
2022-11-16
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2个NPN三极管组成的恒流电路，如何工作？
根据T2三极管Vbe钳位，知道了T1发射极电压，得出Ie的电流，Ic等于Ie，Ic有了，集电极电压有了，可以算出Vce是合理的，即假设成立，T1工作在发放大区。
2022-11-16
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兆易创新：进军模拟芯片，瞄准电源芯片PMIC和DC/DC等
近日，由行业顶流易维讯（EEVIA）主办的“第十届年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会”在深圳威斯汀酒店举行，来自英飞凌、兆易创新、Imagination、ADI和加贺富仪艾等知名公司的专家和高管带来汽车芯片、双碳等热门话题的深度趋势研讨。
2022-11-15
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AMP 创新型电动汽车充电解决方案采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. 近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。
2022-11-14
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如何将第三代 SiC MOSFET 应用于电源设计以提高性能和能效
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。
2022-11-14
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