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如何加强对Type-C数据线的充电保护？
USB Type-C（USB-C）电缆和连接器规范极大地简化了实现互连和为数码相机和超薄平板电脑等电子产品供电的方式（图1）。该规范支持高达15W的USB-C充电应用，而USB-C功率传输（PD）将充电能力扩展至100W，包括各种可互换充电的设备。USB Type-C在系统保护方面带来了新的挑战。新连接器的间距比USB Micro-B小，增加了VBUS发生机械短路的风险。此外，由于USB PD具有高电压，需要更强大的保护。最后，电子负载越来越复杂，需要加强ESD和电压浪涌保护。此设计解决方案首先探讨了USB Type-C PD架构以及与D+/D-数据信号保护相关的挑战，然后提出了一种高度集成的2xSPDT开关，只需较少的BOM和PCB占用空间，就能够攻克这些挑战。
2022-09-19
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加速工业自动化升级，贸泽电子2022技术创新周第二期活动来袭
2022年9月16日 – 专注于引入新品推动行业创新™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日举办贸泽电子技术创新周第二期专题活动。本期内容将重点聚焦工业自动化，特邀来自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等国际知名厂商的资深技术专家，并携手哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长，宁波市智能制造技术研究院副院长在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10两个时间段，为大家带来工业自动化的前沿应用与方案，展望工业自动化未来发展趋势。
2022-09-16
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Molex与贸泽联手推出射频连接器内容中心，介绍射频连接器在智能农业等领域中的应用
2022年9月15日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Molex合作推出新的内容中心，深入探索射频连接器的功能、挑战和变革潜力。此内容中心提供十多项关于射频技术的丰富资源，包括播客节目、白皮书、博客文章和产品指南等。每项内容都直接链接到贸泽网站上的Molex产品页面，让用户轻松找到其设计所需的工具。
2022-09-15
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了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战
了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战，是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同，比方说，一个800万像素（MP）的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同，或帧率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改变他们的电源设计，多大频率需要高电源抑制比(PSRR)，等等。本文意在强调在为当今任何图像传感器确定供电方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信号模型
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8 W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加热特性，并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2022-09-15
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贸泽赞助Silicon Labs主办的Works With 2022年开发者大会
2022年9月14日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成为Silicon Labs Works With 2022年线上会议的钻石赞助商。Works With是一场以互联设备开发为主题的免费网络活动，将于9月13日至15日举行。欲了解更多信息并免费注册，请访问Works With 2022官方页面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性能。
2022-09-13
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瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
2022年9月6日，瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加绿色的未来》的主题演讲，聚焦在“双碳”背景的驱动下，碳化硅产业充满的机遇和前景，重点结合了最新推出的1700V SiC MOSFET产品的效率优势，详解了瑞能半导体在应用领域的建树。
2022-09-08
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通过仿真分析ZVS工作原理
零电压开关（Zero Voltage Switch）振荡电路是功率开关管在导通和关断（模式切换时）两端电压为0（实际上应该是非常接近于0）的电路，这种特性使得电路功率损耗变小，所以被广泛 应用到大功率加热、高压电路中。比如在一些LLC 电源， 电磁炉驱动电路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振荡器的工作原理以及相关的参数设计。
2022-09-08
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带有集成式背磁体、先进全同步数字IC和EMC保护的真正通电状态凸轮轴传感器
之前我们介绍过Allegro 针对完全和轻度混合动力发动机应用的巨磁阻（GMR）曲轴传感器ATS16951，和这款曲轴传感器完美配套的凸轮轴传感器是Allegro 带有集成式背磁体（back-biasing magnet）、先进全同步数字IC和EMC保护的ATS16351。这两款产品能够绝佳配合，帮助设计人员实现优化的发动机设计，减少供应商数量，降低系统复杂性。
2022-09-07
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带过流保护的低侧栅极驱动器PCB布局技巧
英飞凌的1ED44173/5/6是新的低侧栅极驱动器IC，集成了过流保护（OCP）、故障状态输出和启用功能。这种高集成度驱动器对于采用升压拓扑结构并接参考地的PFC（数字控制功率因数校正）应用非常友好。
2022-09-05
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200kW逆变器参考设计
基于派恩杰1200V/400A SiC 模块PAA12400BM3开发的800V 电机驱动平台。采用如图1所示三相桥式拓扑结构，母线额定电压为650V，工作母线电压范围为400-800V，最大输入直流电流为200A，最大输出连续功率为120kW，最大持续相电流为160A, 短时峰值功率为200kW/30s，短时峰值电流300A，使用SiC模块的三相逆变器在效率上有了极大的提升，并且体积也相对减小，派恩杰62mm封装SiC模块最大工作结温可达175℃，采用铜基板进行散热。
2022-09-05
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